B(Al,Ga)N materials capability for advanced ...
Type de document :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...): Communication dans un congrès avec actes
Titre :
B(Al,Ga)N materials capability for advanced optic devices structures in the UV range
Auteur(s) :
Gautier, S. [Auteur]
Abid, M. [Auteur]
Moudakir, T. [Auteur]
Laboratoire Matériaux Optiques, Photonique et Systèmes [LMOPS]
Orsal, G. [Auteur]
Ravindran, V. [Auteur]
Georgia Tech Lorraine [Metz]
Naciri, O. [Auteur]
Laboratoire de Physique des Milieux Denses [LPMD]
Migan-Dubois, A. [Auteur]
Laboratoire de génie électrique de Paris [LGEP]
Djebbour, Z. [Auteur]
Laboratoire de génie électrique de Paris [LGEP]
Troadec, david [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Soltani, Ali [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Patriarche, G. [Auteur]
Ougazzaden, A. [Auteur]
Abid, M. [Auteur]
Moudakir, T. [Auteur]
Laboratoire Matériaux Optiques, Photonique et Systèmes [LMOPS]
Orsal, G. [Auteur]
Ravindran, V. [Auteur]
Georgia Tech Lorraine [Metz]
Naciri, O. [Auteur]
Laboratoire de Physique des Milieux Denses [LPMD]
Migan-Dubois, A. [Auteur]
Laboratoire de génie électrique de Paris [LGEP]
Djebbour, Z. [Auteur]
Laboratoire de génie électrique de Paris [LGEP]
Troadec, david [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Soltani, Ali [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Patriarche, G. [Auteur]
Ougazzaden, A. [Auteur]
Titre de la manifestation scientifique :
SPIE 2011
Ville :
San Francisco
Pays :
Etats-Unis d'Amérique
Date de début de la manifestation scientifique :
2011-01-22
Discipline(s) HAL :
Physique [physics]
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Internationale
Vulgarisation :
Non
Source :