HF characterisation of sub-100nm UTB-FDSOI ...
Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
Titre :
HF characterisation of sub-100nm UTB-FDSOI with TiN/HfO2 gate stack
Auteur(s) :
Lim, T.C. [Auteur]
Rozeau, O. [Auteur]
Buj, C. [Auteur]
Paccaud, M. [Auteur]
Dambrine, Gilles [Auteur]
Danneville, François [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Rozeau, O. [Auteur]
Buj, C. [Auteur]
Paccaud, M. [Auteur]
Dambrine, Gilles [Auteur]
Danneville, François [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Titre de la manifestation scientifique :
9th International Conference on Ultimate Integration of Silicon, ULIS 2008
Pays :
Italie
Date de début de la manifestation scientifique :
2008
Titre de l’ouvrage :
Proceedings of the 9th International Conference on Ultimate Integration of Silicon, ULIS 2008
Éditeur :
_
Date de publication :
2008
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Source :