Growth of Si nanowires on micropillars for ...
Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
DOI :
Titre :
Growth of Si nanowires on micropillars for the study of their dopant distribution by atom probe tomography
Auteur(s) :
Xu, T. [Auteur]
Nys, J.P. [Auteur]
Grandidier, Bruno [Auteur]
Stievenard, D. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Coffinier, Yannick [Auteur]
Boukherroub, Rabah [Auteur]
Larde, R. [Auteur]
Cadel, E. [Auteur]
Pareige, P. [Auteur]
Nys, J.P. [Auteur]
Grandidier, Bruno [Auteur]
Stievenard, D. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Coffinier, Yannick [Auteur]
Boukherroub, Rabah [Auteur]
Larde, R. [Auteur]
Cadel, E. [Auteur]
Pareige, P. [Auteur]
Titre de la revue :
Journal of Vacuum Science and Technology
Pagination :
1960-1963
Éditeur :
American Vacuum Society (AVS)
Date de publication :
2008
ISSN :
0022-5355
Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Source :