Effect of gate length in InAs/AlSb HEMTs ...
Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
Titre :
Effect of gate length in InAs/AlSb HEMTs biased for low power or high gain
Auteur(s) :
Borg, M. [Auteur]
Lefebvre, E. [Auteur]
Malmkvist, M. [Auteur]
Desplanque, Ludovic [Auteur]
Wallart, Xavier [Auteur]
Roelens, Yannick [Auteur]
Dambrine, Gilles [Auteur]
Cappy, Alain [Auteur]
Bollaert, Sylvain [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Grahn, J. [Auteur]
Lefebvre, E. [Auteur]
Malmkvist, M. [Auteur]
Desplanque, Ludovic [Auteur]
![refId](/themes/Mirage2//images/idref.png)
Wallart, Xavier [Auteur]
![refId](/themes/Mirage2//images/idref.png)
Roelens, Yannick [Auteur]
![refId](/themes/Mirage2//images/idref.png)
Dambrine, Gilles [Auteur]
![refId](/themes/Mirage2//images/idref.png)
Cappy, Alain [Auteur]
![refId](/themes/Mirage2//images/idref.png)
Bollaert, Sylvain [Auteur]
![refId](/themes/Mirage2//images/idref.png)
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Grahn, J. [Auteur]
Titre de la revue :
Solid-State Electronics
Pagination :
775-781
Éditeur :
Elsevier
Date de publication :
2008
ISSN :
0038-1101
Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Source :
Fichiers
- https://api.istex.fr/ark:/67375/6H6-JXD8X2BX-R/fulltext.pdf?sid=hal
- Accès libre
- Accéder au document
- https://api.istex.fr/ark:/67375/6H6-JXD8X2BX-R/fulltext.pdf?sid=hal
- Accès libre
- Accéder au document
- https://api.istex.fr/ark:/67375/6H6-JXD8X2BX-R/fulltext.pdf?sid=hal
- Accès libre
- Accéder au document
- https://api.istex.fr/ark:/67375/6H6-JXD8X2BX-R/fulltext.pdf?sid=hal
- Accès libre
- Accéder au document
- fulltext.pdf
- Accès libre
- Accéder au document