Quick planarisation based on hydrogen ...
Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
DOI :
Titre :
Quick planarisation based on hydrogen silsesquioxane (HSQ) for deep etched InP based structures
Auteur(s) :
Zegaoui, Malek [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Optoélectronique - IEMN [OPTO - IEMN]
Harari, Joseph [Auteur]
Optoélectronique - IEMN [OPTO - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Choueib, Nargess [Auteur]
Optoélectronique - IEMN [OPTO - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Magnin, Vincent [Auteur]
Optoélectronique - IEMN [OPTO - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Decoster, Didier [Auteur]
Optoélectronique - IEMN [OPTO - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Optoélectronique - IEMN [OPTO - IEMN]
Harari, Joseph [Auteur]
Optoélectronique - IEMN [OPTO - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Choueib, Nargess [Auteur]
Optoélectronique - IEMN [OPTO - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Magnin, Vincent [Auteur]
Optoélectronique - IEMN [OPTO - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Decoster, Didier [Auteur]
Optoélectronique - IEMN [OPTO - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Titre de la revue :
Electronics Letters
Pagination :
1234-1236
Éditeur :
IET
Date de publication :
2007
ISSN :
0013-5194
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Résumé en anglais : [en]
The ability of HSQ resist films to planarise active deep etched (1.5-2m) InP based structures with electrodes is demonstrated for the first time. Vertically etched III-V semiconductor devices require planarisation of the ...
Lire la suite >The ability of HSQ resist films to planarise active deep etched (1.5-2m) InP based structures with electrodes is demonstrated for the first time. Vertically etched III-V semiconductor devices require planarisation of the passivation material for metal interconnections and device integration. A new and quicker method is presented, for which it is not necessary to use mask opening on the top of the devices to define via patterns. A comparison between conventional silicon dioxide (SiO2) planarisation and the demonstrated HSQ method validates the interest of the latter.Lire moins >
Lire la suite >The ability of HSQ resist films to planarise active deep etched (1.5-2m) InP based structures with electrodes is demonstrated for the first time. Vertically etched III-V semiconductor devices require planarisation of the passivation material for metal interconnections and device integration. A new and quicker method is presented, for which it is not necessary to use mask opening on the top of the devices to define via patterns. A comparison between conventional silicon dioxide (SiO2) planarisation and the demonstrated HSQ method validates the interest of the latter.Lire moins >
Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Source :