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Enhancement-mode metamorphic Al0.67In0.3 ...
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Document type :
Communication dans un congrès avec actes: Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...)
Permalink :
http://hdl.handle.net/20.500.12210/52109
Title :
Enhancement-mode metamorphic Al0.67In0.33As/Ga0.66In0.34 HEMT on GaAs substrate
Author(s) :
Boudrissa, M. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Delos, E. [Auteur]
Cordier, Y. [Auteur]
Theron, D. [Auteur]
De Jaeger, J.C. [Auteur]
Start date of the conference :
2000
Book title :
Proceedings of the 24th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits held in Europe, WOCSDICE 2000
Publisher :
University of Michigan, Ann Arbor, MI, USA
Publication date :
2000
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Collections :
  • Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520
Source :
Harvested from HAL
Submission date :
2021-07-27T21:09:09Z
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