0,1-µm high performance double heterojunction ...
Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
Titre :
0,1-µm high performance double heterojunction In0.32Al0.68As/In0.33Ga0.67As metamorphic HEMTs on GaAs
Auteur(s) :
Zaknoune, Mohammed [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Cordier, Y. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Bollaert, Sylvain [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Ferre, D. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Théron, Didier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Crosnier, Y. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Cordier, Y. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Bollaert, Sylvain [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Ferre, D. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Théron, Didier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Crosnier, Y. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Titre de la revue :
Solid-State Electronics
Pagination :
1685-1688
Éditeur :
Elsevier
Date de publication :
2000-09-01
ISSN :
0038-1101
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Résumé en anglais : [en]
High performance In0.32Al0.68As/In0.33Ga0.67As double heterojunction metamorphic high electron mobility transistors (DH-MMHEMT) have been grown by molecular beam epitaxy on GaAs substrates. An inverse step metamorphic ...
Lire la suite >High performance In0.32Al0.68As/In0.33Ga0.67As double heterojunction metamorphic high electron mobility transistors (DH-MMHEMT) have been grown by molecular beam epitaxy on GaAs substrates. An inverse step metamorphic buffer has been used to reach a relaxation rate close to 98% and a mean cross hatch of 2 nm. The DH-MMHEMT structure with a gate length of 0.1 μm exhibits a peak transconductance of 750 mS mm−1, a current density of 900 mA mm−1, a current gain cutoff frequency Ft of 150 GHz and a maximum oscillation frequency Fmax of 250 GHz. These results clearly demonstrate the good electron transport properties of a double heterointerface structure due to the high relaxation, the good filtering of dislocations and the good control of the inverted InGaAs/InAlAs interface.Lire moins >
Lire la suite >High performance In0.32Al0.68As/In0.33Ga0.67As double heterojunction metamorphic high electron mobility transistors (DH-MMHEMT) have been grown by molecular beam epitaxy on GaAs substrates. An inverse step metamorphic buffer has been used to reach a relaxation rate close to 98% and a mean cross hatch of 2 nm. The DH-MMHEMT structure with a gate length of 0.1 μm exhibits a peak transconductance of 750 mS mm−1, a current density of 900 mA mm−1, a current gain cutoff frequency Ft of 150 GHz and a maximum oscillation frequency Fmax of 250 GHz. These results clearly demonstrate the good electron transport properties of a double heterointerface structure due to the high relaxation, the good filtering of dislocations and the good control of the inverted InGaAs/InAlAs interface.Lire moins >
Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Source :
Fichiers
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