Ka band power pHEMT technology for space ...
Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
Titre :
Ka band power pHEMT technology for space power flip-chip assembly
Auteur(s) :
Rogeaux, E. [Auteur]
Fraysse, J.P. [Auteur]
Schaffauser, C. [Auteur]
George, S. [Auteur]
Pons, D. [Auteur]
Fellon, P. [Auteur]
Geiger, D. [Auteur]
Théron, Didier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Haese, N. [Auteur]
Verdeyme, Serge [Auteur]
Quere, R. [Auteur]
Baillargeat, Dominique [Auteur]
Ngoya, E. [Auteur]
Long, S. [Auteur]
Escotte, Laurent [Auteur]
Fraysse, J.P. [Auteur]
Schaffauser, C. [Auteur]
George, S. [Auteur]
Pons, D. [Auteur]
Fellon, P. [Auteur]
Geiger, D. [Auteur]
Théron, Didier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Haese, N. [Auteur]
Verdeyme, Serge [Auteur]
Quere, R. [Auteur]
Baillargeat, Dominique [Auteur]
Ngoya, E. [Auteur]
Long, S. [Auteur]
Escotte, Laurent [Auteur]
Date de début de la manifestation scientifique :
2001
Titre de l’ouvrage :
2001 IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest
Éditeur :
IEEE, Piscataway, NJ, USA
Date de publication :
2001
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Source :