0.12 µm gate length InAlAs/InGaAs HEMTs ...
Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
Titre :
0.12 µm gate length InAlAs/InGaAs HEMTs on transferred substrate
Auteur(s) :
Bollaert, Sylvain [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Wallart, Xavier [Auteur]
lepilliet, sl [Auteur]
Cappy, Alain [Auteur]
Jalaguier, E. [Auteur]
Pocas, S. [Auteur]
Aspar, V. [Auteur]
Mateos-Lopez, J. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Wallart, Xavier [Auteur]
lepilliet, sl [Auteur]
Cappy, Alain [Auteur]
Jalaguier, E. [Auteur]
Pocas, S. [Auteur]
Aspar, V. [Auteur]
Mateos-Lopez, J. [Auteur]
Date de début de la manifestation scientifique :
2001
Titre de l’ouvrage :
Proceedings of the 9th European Gallium Arsenide and Other Semiconductor Application Symposium, GAAS 2001
Éditeur :
European Microwave Associtaion, UK
Date de publication :
2001
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Source :