Quantum calculation of leakage current in ...

Document type :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...): Communication dans un congrès avec actes
Title :
Quantum calculation of leakage current in stacked gate dielectrics for nano-MOS structures
Author(s) :
Lheurette, Eric [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Le Roy, M. [Auteur]
Vanbesien, Olivier [Auteur] refId
Lippens, D. [Auteur]
Conference title :
Proceedings of the 14th Workshop on Modelling and Simulation of Electron Devices
City :
Barcelona
Country :
Espagne
Start date of the conference :
2003
Publication date :
2003
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL