Amélioration du fmax des HEMTs InAlAs/InGaAs ...
Document type :
Communication dans un congrès avec actes
Title :
Amélioration du fmax des HEMTs InAlAs/InGaAs sur substrat d'InP de longueur de grille 70nm par optimisation de la structure de couche
Author(s) :
Duszynski, I. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Parenty, T. [Auteur]
Bollaert, Sylvain [Auteur]
Happy, Henri [Auteur]
Mateos, J. [Auteur]
Wallart, Xavier [Auteur]
Cappy, Alain [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Parenty, T. [Auteur]
Bollaert, Sylvain [Auteur]

Happy, Henri [Auteur]

Mateos, J. [Auteur]
Wallart, Xavier [Auteur]

Cappy, Alain [Auteur]

Start date of the conference :
2003
Book title :
Actes des 13èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2003
Publisher :
Institut d'Electronique, Microélectronique et Nanotechnologie, Villeneuve d'Ascq, France
Publication date :
2003
Language :
Français
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Source :