Amélioration du fmax des HEMTs InAlAs/InGaAs ...
Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
Titre :
Amélioration du fmax des HEMTs InAlAs/InGaAs sur substrat d'InP de longueur de grille 70nm par optimisation de la structure de couche
Auteur(s) :
Duszynski, I. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Parenty, T. [Auteur]
Bollaert, Sylvain [Auteur]
Happy, Henri [Auteur]
Mateos, J. [Auteur]
Wallart, Xavier [Auteur]
Cappy, Alain [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Parenty, T. [Auteur]
Bollaert, Sylvain [Auteur]
Happy, Henri [Auteur]
Mateos, J. [Auteur]
Wallart, Xavier [Auteur]
Cappy, Alain [Auteur]
Date de début de la manifestation scientifique :
2003
Titre de l’ouvrage :
Actes des 13èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2003
Éditeur :
Institut d'Electronique, Microélectronique et Nanotechnologie, Villeneuve d'Ascq, France
Date de publication :
2003
Langue :
Français
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Source :