Optimum design of N+NN+ InP devices in the ...
Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
Titre :
Optimum design of N+NN+ InP devices in the millimeter range. Frequency limitation. RF performance.
Auteur(s) :
Friscourt, M.R. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Rolland, P.A. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Rolland, P.A. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Titre de la revue :
IEEE Electron Device Letters
Pagination :
135-137
Éditeur :
Institute of Electrical and Electronics Engineers
Date de publication :
1983
ISSN :
0741-3106
Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Source :