Smart way to adjust Schottky barrier height ...
Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
Titre :
Smart way to adjust Schottky barrier height in 130 nm BiCMOS process for sub-THz applications
Auteur(s) :
Gidel, Vincent [Auteur]
Gianesello, Frederic [Auteur]
Chevalier, Pascal [Auteur]
Avenier, Gregory [Auteur]
Guitard, Nicolas [Auteur]
Buczko, Michel [Auteur]
Luxey, Cyril [Auteur]
Ducournau, Guillaume [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Gianesello, Frederic [Auteur]
Chevalier, Pascal [Auteur]
Avenier, Gregory [Auteur]
Guitard, Nicolas [Auteur]
Buczko, Michel [Auteur]
Luxey, Cyril [Auteur]
Ducournau, Guillaume [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Titre de la manifestation scientifique :
IEEE Radio and Wireless Symposium (RWS)
Ville :
San Antonio
Pays :
Etats-Unis d'Amérique
Date de début de la manifestation scientifique :
2020-01-26
Titre de l’ouvrage :
IEEE Radio and Wireless Symposium (RWS)
Éditeur :
IEEE
Date de publication :
2020
Mot(s)-clé(s) en anglais :
Schottky diodes
barrier height
thermal budget
Nsinker
cut-off frequency
barrier height
thermal budget
Nsinker
cut-off frequency
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Résumé en anglais : [en]
In this paper, an innovative Schottky diode architecture is proposed and implemented in 130 nm BiCMOS technology. A state-of-the-art 1 THz cut-off frequency is measured and an innovative way to modify the height of the ...
Lire la suite >In this paper, an innovative Schottky diode architecture is proposed and implemented in 130 nm BiCMOS technology. A state-of-the-art 1 THz cut-off frequency is measured and an innovative way to modify the height of the Schottky barrier is proposed. This smart way could enable zero-bias high-frequency circuit designs with a very low height value of the Schottky barrier in advanced BiCMOS technology without requiring any custom implantation.Lire moins >
Lire la suite >In this paper, an innovative Schottky diode architecture is proposed and implemented in 130 nm BiCMOS technology. A state-of-the-art 1 THz cut-off frequency is measured and an innovative way to modify the height of the Schottky barrier is proposed. This smart way could enable zero-bias high-frequency circuit designs with a very low height value of the Schottky barrier in advanced BiCMOS technology without requiring any custom implantation.Lire moins >
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Internationale
Vulgarisation :
Non
Source :