Colloidal II–VI—Epitaxial III–V heterostructure: ...
Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
DOI :
Titre :
Colloidal II–VI—Epitaxial III–V heterostructure: A strategy to expand InGaAs spectral response
Auteur(s) :
Khalili, Adrien [Auteur]
Physico-chimie et dynamique des surfaces [INSP-E6]
Abadie, Claire [Auteur]
DOTA, ONERA, Université Paris Saclay [Palaiseau]
Dang, Tung [Auteur]
Physico-chimie et dynamique des surfaces [INSP-E6]
Chu, Audrey [Auteur]
Physico-chimie et dynamique des surfaces [INSP-E6]
Izquierdo, Eva [Auteur]
Physico-chimie et dynamique des surfaces [INSP-E6]
Dabard, Corentin [Auteur]
Physico-chimie et dynamique des surfaces [INSP-E6]
Gréboval, Charlie [Auteur]
Physico-chimie et dynamique des surfaces [INSP-E6]
Cavallo, Mariarosa [Auteur]
Physico-chimie et dynamique des surfaces [INSP-E6]
Zhang, Huichen [Auteur]
Physico-chimie et dynamique des surfaces [INSP-E6]
Pierini, Stefano [Auteur]
Physico-chimie et dynamique des surfaces [INSP-E6]
Prado, Yoann [Auteur]
Nanostructures et optique [INSP-E4]
Xu, Xiang [Auteur]
Laboratoire de Physique et d'Etude des Matériaux (UMR 8213) [LPEM]
Ithurria, Sandrine [Auteur]
Laboratoire de Physique et d'Etude des Matériaux (UMR 8213) [LPEM]
Vincent, Grégory [Auteur]
DOTA, ONERA, Université Paris Saclay [Palaiseau]
Coinon, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Centrale de Micro Nano Fabrication - IEMN [CMNF - IEMN]
Desplanque, Ludovic [Auteur]
EPItaxie et PHYsique des hétérostructures - IEMN [EPIPHY - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lhuillier, Emmanuel [Auteur]
Physico-chimie et dynamique des surfaces [INSP-E6]
Physico-chimie et dynamique des surfaces [INSP-E6]
Abadie, Claire [Auteur]
DOTA, ONERA, Université Paris Saclay [Palaiseau]
Dang, Tung [Auteur]
Physico-chimie et dynamique des surfaces [INSP-E6]
Chu, Audrey [Auteur]
Physico-chimie et dynamique des surfaces [INSP-E6]
Izquierdo, Eva [Auteur]
Physico-chimie et dynamique des surfaces [INSP-E6]
Dabard, Corentin [Auteur]
Physico-chimie et dynamique des surfaces [INSP-E6]
Gréboval, Charlie [Auteur]
Physico-chimie et dynamique des surfaces [INSP-E6]
Cavallo, Mariarosa [Auteur]
Physico-chimie et dynamique des surfaces [INSP-E6]
Zhang, Huichen [Auteur]
Physico-chimie et dynamique des surfaces [INSP-E6]
Pierini, Stefano [Auteur]
Physico-chimie et dynamique des surfaces [INSP-E6]
Prado, Yoann [Auteur]
Nanostructures et optique [INSP-E4]
Xu, Xiang [Auteur]
Laboratoire de Physique et d'Etude des Matériaux (UMR 8213) [LPEM]
Ithurria, Sandrine [Auteur]
Laboratoire de Physique et d'Etude des Matériaux (UMR 8213) [LPEM]
Vincent, Grégory [Auteur]
DOTA, ONERA, Université Paris Saclay [Palaiseau]
Coinon, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Centrale de Micro Nano Fabrication - IEMN [CMNF - IEMN]
Desplanque, Ludovic [Auteur]
EPItaxie et PHYsique des hétérostructures - IEMN [EPIPHY - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lhuillier, Emmanuel [Auteur]
Physico-chimie et dynamique des surfaces [INSP-E6]
Titre de la revue :
Applied Physics Letters
Pagination :
051101
Éditeur :
American Institute of Physics
Date de publication :
2022-01-31
ISSN :
0003-6951
Discipline(s) HAL :
Chimie/Matériaux
Physique [physics]/Matière Condensée [cond-mat]
Physique [physics]/Matière Condensée [cond-mat]
Résumé en anglais : [en]
For short wave infrared (SWIR) sensing, InGaAs is the leading technology combining high carrier mobility, high homogeneity and complete control over n-top doping. In the meanwhile, numerous alternative materials have tried ...
Lire la suite >For short wave infrared (SWIR) sensing, InGaAs is the leading technology combining high carrier mobility, high homogeneity and complete control over n-top doping. In the meanwhile, numerous alternative materials have tried to compete with InGaAs. Among them, colloidal nanocrystals with narrow band gap can address the current issue in designing cost-effective sensors for the SWIR range. Rather than pitting these two materials against each other, here we design a synergistic duo in which HgTe nanocrystals are used to broaden the spectral range of InGaAs while lifting the lattice matching constraints. We propose a diode geometry where a p-type HgTe NC array is coupled with n-type InGaAs wires which are used as high mobility (µ>1000 cm 2 .V-1 s-1) minority carrier extractors. This approach also demonstrates that Van der Waals heterostructures are not limited to graphene-like materials and that bulk-like III-V semiconductors can also be light sensitized by colloidal nanoparticles. This work paves the way toward further synergies between epitaxially grown and colloidally grown semiconductors for infrared detection.Lire moins >
Lire la suite >For short wave infrared (SWIR) sensing, InGaAs is the leading technology combining high carrier mobility, high homogeneity and complete control over n-top doping. In the meanwhile, numerous alternative materials have tried to compete with InGaAs. Among them, colloidal nanocrystals with narrow band gap can address the current issue in designing cost-effective sensors for the SWIR range. Rather than pitting these two materials against each other, here we design a synergistic duo in which HgTe nanocrystals are used to broaden the spectral range of InGaAs while lifting the lattice matching constraints. We propose a diode geometry where a p-type HgTe NC array is coupled with n-type InGaAs wires which are used as high mobility (µ>1000 cm 2 .V-1 s-1) minority carrier extractors. This approach also demonstrates that Van der Waals heterostructures are not limited to graphene-like materials and that bulk-like III-V semiconductors can also be light sensitized by colloidal nanoparticles. This work paves the way toward further synergies between epitaxially grown and colloidally grown semiconductors for infrared detection.Lire moins >
Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Projet ANR :
Détecteur plasmonique à nanoCristaux colloïdaux: une nouvelle filière pour l'OPtoélectronique INfrarouge
Tuning Giant Rashba Spin-Orbit Coupling in Polar Single Layer Transition Metal Dichalcogenides
Nanocristaux Colloïdaux Dopés Infrarouges
Design et fabrication d'un plan focal dans le proche infrarouge à base de nanocrisrtaux
Diode électroluminescente infrarouge brillante par exaltation du couplage lumière-matière
Heterostructures à dimensions mixtes sous contrôle ferroélectrique 2D
Tuning Giant Rashba Spin-Orbit Coupling in Polar Single Layer Transition Metal Dichalcogenides
Nanocristaux Colloïdaux Dopés Infrarouges
Design et fabrication d'un plan focal dans le proche infrarouge à base de nanocrisrtaux
Diode électroluminescente infrarouge brillante par exaltation du couplage lumière-matière
Heterostructures à dimensions mixtes sous contrôle ferroélectrique 2D
Source :
Fichiers
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