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Tuner intégré large bande en gamme de ...
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Document type :
Communication dans un congrès avec actes
Title :
Tuner intégré large bande en gamme de fréquences millimétriques pour la caractérisation en technologie BiCMOS 55 nm
Author(s) :
Maye, Caroline [Auteur correspondant]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Margalef-Rovira, Marc [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Alaji, Issa [Auteur]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lepilliet, Sylvie [Auteur]
Plateforme de Caractérisation Multi-Physiques - IEMN [PCMP - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Gloria, D. [Auteur]
STMicroelectronics [Crolles] [ST-CROLLES]
Ducournau, Guillaume [Auteur] refId
Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Gaquière, Christophe [Auteur]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Conference title :
XXIIèmes Journées Nationales Microondes
City :
Limoges
Country :
France
Start date of the conference :
2022-06-07
Book title :
Tuner intégré large bande en gamme de fréquences millimétriques pour la caractérisation en technologie BiCMOS 55 nm
HAL domain(s) :
Sciences de l'ingénieur [physics]
French abstract :
Cet article présente une architecture innovante d’un tuner intégré en gamme de fréquences millimétriques pour répondre aux besoins de la caractérisation load-pull au-delà 140 GHz. L’architecture proposée ici est constituée ...
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Cet article présente une architecture innovante d’un tuner intégré en gamme de fréquences millimétriques pour répondre aux besoins de la caractérisation load-pull au-delà 140 GHz. L’architecture proposée ici est constituée d’un atténuateur variable à base d’un coupleur 3 dB en ligne microstrip et chargé sur les ports 2 et 3 par des transistors nMOS pour constituer des charges variables. Ce coupleur est terminé sur son port isolé par une ligne de transmission sur laquelle est posée une sonde court-circuitée au niveau des pointes. Le déplacement de la sonde le long de la ligne permet de réaliser une variation en phase du coefficient de réflexion présenté par le tuner à son entrée. Ainsi, une variation du coefficient est obtenue, couvrant les valeurs de 0 à 0.7 sur 360° de 140 à 220 GHz. Enfin, le tuner dispose d’un système de détection à son entrée pour mesurer les coefficients de réflexion du tuner et la puissance en sortie d’un dispositif sous test.Show less >
Language :
Français
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Nationale
Popular science :
Non
European Project :
TowARds Advanced bicmos NanoTechnology platforms for rf and thz applicatiOns
Collections :
  • Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520
Source :
Harvested from HAL
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