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A controllable wet-etching method to ...
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Document type :
Communication dans un congrès avec actes: Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...)
Title :
A controllable wet-etching method to fabricate high-frequency ZnO ultrasonic arrays
Author(s) :
Zhang, Jin-Ying [Auteur]
Transduction, Propagation et Imagerie Acoustique - IEMN [TPIA - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Xu, Wei-Jiang [Auteur]
Transduction, Propagation et Imagerie Acoustique - IEMN [TPIA - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Han, G. [Auteur]
Carlier, Julien [Auteur]
Matériaux et Acoustiques pour MIcro et NAno systèmes intégrés - IEMN [MAMINA - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Ji, X.M. [Auteur]
Chen, S.M. [Auteur]
Xu, B. [Auteur]
Conference title :
International Congress on Ultrasonics, ICU 2013
City :
Singapoure
Country :
Singapour
Start date of the conference :
2013-05-02
Publication date :
2013
English keyword(s) :
high frequency
ultrasonic linear array
ZnO film
wet etching
finite element method
HAL domain(s) :
Sciences de l'ingénieur [physics]
English abstract : [en]
A controllable wet-chemical etching method is presented to fabricate thick-film ZnO-based ultrasonic transducer arrays. The wet-chemical etchant is NH4Cl aqueous solution with a concentration of 10 wt% and the etching rate ...
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A controllable wet-chemical etching method is presented to fabricate thick-film ZnO-based ultrasonic transducer arrays. The wet-chemical etchant is NH4Cl aqueous solution with a concentration of 10 wt% and the etching rate is 60 nm/min at room temperature. A ZnO array is achieved due to a small ratio (0.25) of lateral etching to vertical etching. This novel etching method provides a possibility to acquire a pitch of a λ in a 300 MHz array.Show less >
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Collections :
  • Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520
Source :
Harvested from HAL
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