Optical switch using InP optical wire technology
Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
DOI :
Titre :
Optical switch using InP optical wire technology
Auteur(s) :
Lesecq, Marie [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Beaugeois, Maxime [Auteur]
Laboratoire de Physique des Lasers, Atomes et Molécules - UMR 8523 [PhLAM]
Maricot, Sophie [Auteur]
Optoélectronique - IEMN [OPTO - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Boyaval, Christophe [Auteur]
Centrale de Micro Nano Fabrication - IEMN [CMNF - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Legrand, Christiane [Auteur]
François, Marc [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Centrale de Micro Nano Fabrication - IEMN [CMNF - IEMN]
Muller, M. [Auteur]
Mollot, Francis [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Bouazaoui, Mohamed [Auteur]
Laboratoire de Physique des Lasers, Atomes et Molécules - UMR 8523 [PhLAM]
Vilcot, Jean-Pierre [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Beaugeois, Maxime [Auteur]
Laboratoire de Physique des Lasers, Atomes et Molécules - UMR 8523 [PhLAM]
Maricot, Sophie [Auteur]
Optoélectronique - IEMN [OPTO - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Boyaval, Christophe [Auteur]
Centrale de Micro Nano Fabrication - IEMN [CMNF - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Legrand, Christiane [Auteur]
François, Marc [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Centrale de Micro Nano Fabrication - IEMN [CMNF - IEMN]
Muller, M. [Auteur]
Mollot, Francis [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Bouazaoui, Mohamed [Auteur]
Laboratoire de Physique des Lasers, Atomes et Molécules - UMR 8523 [PhLAM]
Vilcot, Jean-Pierre [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Titre de la manifestation scientifique :
Photonic Materials, Devices and Applications II
Ville :
Maspalomas
Pays :
Espagne
Date de début de la manifestation scientifique :
2007-05-02
Éditeur :
SPIE – The International Society for Optical Engineering, Bellingham, WA, USA
Date de publication :
2007
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Résumé en anglais : [en]
We report on a new type of optical switch based on submicron structures and present the results obtained on the first nanophotonics based optical switch. First, we present results obtained on passive components that are ...
Lire la suite >We report on a new type of optical switch based on submicron structures and present the results obtained on the first nanophotonics based optical switch. First, we present results obtained on passive components that are required in an optical switch or switching matrix: straight waveguides, bend waveguides and Y junctions. Measured propagation loss are lower than 1dB/mm for waveguides wider than 1&mgr;m. Excess bending loss is 1dB for curvature radius as small as 30&mgr;m. Loss due to branching angle in a Y junction is 2dB for angle as wide as 20°. Optical switch design is based on two dissymmetric DOS like active junctions; theoretical crosstalk is 28dB, 14dB for each junction. We present the technological process to realize this active component. Finally, we report on the first characterization of a single Y junction a crosstalk of 11dB.Lire moins >
Lire la suite >We report on a new type of optical switch based on submicron structures and present the results obtained on the first nanophotonics based optical switch. First, we present results obtained on passive components that are required in an optical switch or switching matrix: straight waveguides, bend waveguides and Y junctions. Measured propagation loss are lower than 1dB/mm for waveguides wider than 1&mgr;m. Excess bending loss is 1dB for curvature radius as small as 30&mgr;m. Loss due to branching angle in a Y junction is 2dB for angle as wide as 20°. Optical switch design is based on two dissymmetric DOS like active junctions; theoretical crosstalk is 28dB, 14dB for each junction. We present the technological process to realize this active component. Finally, we report on the first characterization of a single Y junction a crosstalk of 11dB.Lire moins >
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Source :