Mid-wave Infrared sensitized InGaAs using ...
Document type :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
DOI :
Title :
Mid-wave Infrared sensitized InGaAs using Intraband Transition in Doped Colloidal II-VI Nanocrystals
Author(s) :
Khalili, Adrien [Auteur]
Physico-chimie et dynamique des surfaces [INSP-E6]
Cavallo, Mariarosa [Auteur]
Physico-chimie et dynamique des surfaces [INSP-E6]
Dang, Tung Huu [Auteur]
Physico-chimie et dynamique des surfaces [INSP-E6]
Dabard, Corentin [Auteur]
Physico-chimie et dynamique des surfaces [INSP-E6]
Zhang, Huichen [Auteur]
Physico-chimie et dynamique des surfaces [INSP-E6]
Bossavit, Erwan [Auteur]
Synchrotron SOLEIL [SSOLEIL]
Abadie, Claire [Auteur]
Physico-chimie et dynamique des surfaces [INSP-E6]
Prado, Yoann [Auteur]
Nanostructures et optique [INSP-E4]
Xu, Xiang Zhen [Auteur]
Laboratoire de Physique et d'Etude des Matériaux (UMR 8213) [LPEM]
Ithurria, Sandrine [Auteur]
Laboratoire de Physique et d'Etude des Matériaux (UMR 8213) [LPEM]
Vincent, Grégory [Auteur]
DOTA, ONERA, Université Paris Saclay [Palaiseau]
Coinon, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Centrale de Micro Nano Fabrication - IEMN [CMNF - IEMN]
Desplanque, Ludovic [Auteur]
EPItaxie et PHYsique des hétérostructures - IEMN [EPIPHY - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lhuillier, Emmanuel [Auteur correspondant]
Physico-chimie et dynamique des surfaces [INSP-E6]
Physico-chimie et dynamique des surfaces [INSP-E6]
Cavallo, Mariarosa [Auteur]
Physico-chimie et dynamique des surfaces [INSP-E6]
Dang, Tung Huu [Auteur]
Physico-chimie et dynamique des surfaces [INSP-E6]
Dabard, Corentin [Auteur]
Physico-chimie et dynamique des surfaces [INSP-E6]
Zhang, Huichen [Auteur]
Physico-chimie et dynamique des surfaces [INSP-E6]
Bossavit, Erwan [Auteur]
Synchrotron SOLEIL [SSOLEIL]
Abadie, Claire [Auteur]
Physico-chimie et dynamique des surfaces [INSP-E6]
Prado, Yoann [Auteur]
Nanostructures et optique [INSP-E4]
Xu, Xiang Zhen [Auteur]
Laboratoire de Physique et d'Etude des Matériaux (UMR 8213) [LPEM]
Ithurria, Sandrine [Auteur]
Laboratoire de Physique et d'Etude des Matériaux (UMR 8213) [LPEM]
Vincent, Grégory [Auteur]
DOTA, ONERA, Université Paris Saclay [Palaiseau]
Coinon, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Centrale de Micro Nano Fabrication - IEMN [CMNF - IEMN]
Desplanque, Ludovic [Auteur]

EPItaxie et PHYsique des hétérostructures - IEMN [EPIPHY - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lhuillier, Emmanuel [Auteur correspondant]
Physico-chimie et dynamique des surfaces [INSP-E6]
Journal title :
The Journal of Chemical Physics
Pages :
094702
Publisher :
American Institute of Physics
Publication date :
2023
ISSN :
0021-9606
English keyword(s) :
InGaAs
HgSe
nanowire
quantum dot
mid-wave infrared
light sensing
photodiode
HgSe
nanowire
quantum dot
mid-wave infrared
light sensing
photodiode
HAL domain(s) :
Physique [physics]/Physique [physics]/Chimie-Physique [physics.chem-ph]
English abstract : [en]
Narrow bandgap nanocrystals (NCs) are now used as infrared light absorbers, making them competitors to epitaxially grown semiconductors. However, these two types of material could benefit from one another. While bulk ...
Show more >Narrow bandgap nanocrystals (NCs) are now used as infrared light absorbers, making them competitors to epitaxially grown semiconductors. However, these two types of material could benefit from one another. While bulk materials are more effective in transporting carriers and give a high degree of doping tunability, nanocrystals offer a larger spectral tunability without latticematching constraint. Here, we investigate the potential of sensitizing InGaAs in the mid-wave infrared throughout the intraband transition of self-doped HgSe NCs. Our device geometry enables the design of a photodiode remaining mostly unreported for intraband-absorbing NCs. Finally, this strategy allows for more effective cooling and preserves detectivity above 10 8 Jones up to 200 K, making it closer to cryo-free operation for mid-infrared NC-based sensors.Show less >
Show more >Narrow bandgap nanocrystals (NCs) are now used as infrared light absorbers, making them competitors to epitaxially grown semiconductors. However, these two types of material could benefit from one another. While bulk materials are more effective in transporting carriers and give a high degree of doping tunability, nanocrystals offer a larger spectral tunability without latticematching constraint. Here, we investigate the potential of sensitizing InGaAs in the mid-wave infrared throughout the intraband transition of self-doped HgSe NCs. Our device geometry enables the design of a photodiode remaining mostly unreported for intraband-absorbing NCs. Finally, this strategy allows for more effective cooling and preserves detectivity above 10 8 Jones up to 200 K, making it closer to cryo-free operation for mid-infrared NC-based sensors.Show less >
Language :
Anglais
Popular science :
Non
ANR Project :
Détecteur plasmonique à nanoCristaux colloïdaux: une nouvelle filière pour l'OPtoélectronique INfrarouge
Nanocristaux Colloïdaux Dopés Infrarouges
Tuning Giant Rashba Spin-Orbit Coupling in Polar Single Layer Transition Metal Dichalcogenides
Diode électroluminescente infrarouge brillante par exaltation du couplage lumière-matière
Heterostructures à dimensions mixtes sous contrôle ferroélectrique 2D
Nanocristaux de HgTe une nouvelle plateforme pour l'optoélectronique THz
Nanocristaux Colloïdaux Dopés Infrarouges
Tuning Giant Rashba Spin-Orbit Coupling in Polar Single Layer Transition Metal Dichalcogenides
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Heterostructures à dimensions mixtes sous contrôle ferroélectrique 2D
Nanocristaux de HgTe une nouvelle plateforme pour l'optoélectronique THz
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