Non-Volatile Bipolar TiN/LaMnO3/Pt Memristors ...
Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
Titre :
Non-Volatile Bipolar TiN/LaMnO3/Pt Memristors with Optimized Performance
Auteur(s) :
Rodriguez-Lamas, Raquel [Auteur]
Laboratoire des matériaux et du génie physique [LMGP ]
Pla, Dolors [Auteur]
Laboratoire des matériaux et du génie physique [LMGP ]
Pirovano, Caroline [Auteur]
Unité de Catalyse et Chimie du Solide - UMR 8181 [UCCS]
Chaix-Pluchery, Odette [Auteur]
Laboratoire des matériaux et du génie physique [LMGP ]
Moncasi, Carlos [Auteur]
Laboratoire des matériaux et du génie physique [LMGP ]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Boudard, Michel [Auteur]
Laboratoire des matériaux et du génie physique [LMGP ]
Vannier, Rose-Noëlle [Auteur]
Unité de Catalyse et Chimie du Solide - UMR 8181 [UCCS]
Jiménez, Carmen [Auteur]
Laboratoire des matériaux et du génie physique [LMGP ]
Burriel, Mónica [Auteur]
Laboratoire des matériaux et du génie physique [LMGP ]
Laboratoire des matériaux et du génie physique [LMGP ]
Pla, Dolors [Auteur]
Laboratoire des matériaux et du génie physique [LMGP ]
Pirovano, Caroline [Auteur]
Unité de Catalyse et Chimie du Solide - UMR 8181 [UCCS]
Chaix-Pluchery, Odette [Auteur]
Laboratoire des matériaux et du génie physique [LMGP ]
Moncasi, Carlos [Auteur]
Laboratoire des matériaux et du génie physique [LMGP ]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Boudard, Michel [Auteur]
Laboratoire des matériaux et du génie physique [LMGP ]
Vannier, Rose-Noëlle [Auteur]
Unité de Catalyse et Chimie du Solide - UMR 8181 [UCCS]
Jiménez, Carmen [Auteur]
Laboratoire des matériaux et du génie physique [LMGP ]
Burriel, Mónica [Auteur]
Laboratoire des matériaux et du génie physique [LMGP ]
Titre de la revue :
Materials Today Electronics
Pagination :
100054
Date de publication :
2023-09
ISSN :
2772-9494
Mot(s)-clé(s) en anglais :
Resistive switching valence change memories (VCMs) manganites memristive devices metal organic chemical vapor deposition (MOCVD)
Discipline(s) HAL :
Chimie
Résumé en anglais : [en]
LaMnO 3+δ (LMO) perovskite is a very interesting candidate for Valence Change Memories due to its flexible stoichiometry, accommodated through the Mn +3 /Mn +4 equilibrium, at the origin of significant resistivity changes. ...
Lire la suite >LaMnO 3+δ (LMO) perovskite is a very interesting candidate for Valence Change Memories due to its flexible stoichiometry, accommodated through the Mn +3 /Mn +4 equilibrium, at the origin of significant resistivity changes. Here, the successful combination of a LMO layer, with a top active TiN electrode and a bottom inert Pt electrode, is presented. The manganite layer is integrated on silicon-based substrates in the form of a polycrystalline film. By comparing the memristive behavior of these TiN/LMO/Pt devices with Au/LMO/Pt devices prepared on the same film, the essential role of the active oxygen electrode is put in evidence. TiN/LMO/Pt memristive devices show optimized performance, operating in both sweep and pulse mode, with the capability of cycling more than a hundred times and showing good retention. Furthermore, a simple phenomenological model describing the memristive behavior of the devices is also presented.Lire moins >
Lire la suite >LaMnO 3+δ (LMO) perovskite is a very interesting candidate for Valence Change Memories due to its flexible stoichiometry, accommodated through the Mn +3 /Mn +4 equilibrium, at the origin of significant resistivity changes. Here, the successful combination of a LMO layer, with a top active TiN electrode and a bottom inert Pt electrode, is presented. The manganite layer is integrated on silicon-based substrates in the form of a polycrystalline film. By comparing the memristive behavior of these TiN/LMO/Pt devices with Au/LMO/Pt devices prepared on the same film, the essential role of the active oxygen electrode is put in evidence. TiN/LMO/Pt memristive devices show optimized performance, operating in both sweep and pulse mode, with the capability of cycling more than a hundred times and showing good retention. Furthermore, a simple phenomenological model describing the memristive behavior of the devices is also presented.Lire moins >
Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Source :
Fichiers
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