Photonic THz mixers based on iron-doped ...
Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
DOI :
Titre :
Photonic THz mixers based on iron-doped InGaAs embedded in a plasmonic microcavity
Auteur(s) :
Tannoury, Charbel [Auteur]
Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Merupo, Victor [Auteur]
Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Di Gioia, Giuseppe [Auteur]
Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Avramovic, Vanessa [Auteur]
Plateforme de Caractérisation Multi-Physiques - IEMN [PCMP - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Troadec, David [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Centrale de Micro Nano Fabrication - IEMN [CMNF - IEMN]
Lampin, Jean-Francois [Auteur]
Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Ducournau, Guillaume [Auteur]
Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Breuer, Steffen [Auteur]
Fraunhofer Institute for Telecommunications - Heinrich Hertz Institute [Fraunhofer HHI]
Globisch, Björn [Auteur]
Fraunhofer Institute for Telecommunications - Heinrich Hertz Institute [Fraunhofer HHI]
Institut für Festkörperphysik [IFKP]
Barbieri, Stefano [Auteur]
Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Kohlhaas, Robert [Auteur]
Fraunhofer Institute for Telecommunications - Heinrich Hertz Institute [Fraunhofer HHI]
Peytavit, Emilien [Auteur]
Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Merupo, Victor [Auteur]
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Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Di Gioia, Giuseppe [Auteur]
Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Avramovic, Vanessa [Auteur]
Plateforme de Caractérisation Multi-Physiques - IEMN [PCMP - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Troadec, David [Auteur]
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Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Centrale de Micro Nano Fabrication - IEMN [CMNF - IEMN]
Lampin, Jean-Francois [Auteur]
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Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Ducournau, Guillaume [Auteur]
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Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Breuer, Steffen [Auteur]
Fraunhofer Institute for Telecommunications - Heinrich Hertz Institute [Fraunhofer HHI]
Globisch, Björn [Auteur]
Fraunhofer Institute for Telecommunications - Heinrich Hertz Institute [Fraunhofer HHI]
Institut für Festkörperphysik [IFKP]
Barbieri, Stefano [Auteur]
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Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Kohlhaas, Robert [Auteur]
Fraunhofer Institute for Telecommunications - Heinrich Hertz Institute [Fraunhofer HHI]
Peytavit, Emilien [Auteur]
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Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Titre de la revue :
APL Photonics
Pagination :
116101
Éditeur :
AIP Publishing LLC
Date de publication :
2023-11-01
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]/Optique / photonique
Résumé en anglais : [en]
We present an optoelectronic mixer for the terahertz (THz) frequency-domain based on an iron-doped InGaAs layer integrated in a plasmonic microcavity. We show that this structure, under 1550-nm-wavelength illumination, ...
Lire la suite >We present an optoelectronic mixer for the terahertz (THz) frequency-domain based on an iron-doped InGaAs layer integrated in a plasmonic microcavity. We show that this structure, under 1550-nm-wavelength illumination, allows for more than 70% absorption efficiency in a 220 nm-thin InGaAs absorber and very high Roff/Ron >1000. It leads to THz mixers driven by 1550-nm lasers showing conversion loss as low as ∼30 dB at 300 GHz. Therefore, this design is very promising for application as receivers in high-data-rate wireless telecom, in cw-THz spectrometers, or in photonics-enabled THz spectrum analyzers.Lire moins >
Lire la suite >We present an optoelectronic mixer for the terahertz (THz) frequency-domain based on an iron-doped InGaAs layer integrated in a plasmonic microcavity. We show that this structure, under 1550-nm-wavelength illumination, allows for more than 70% absorption efficiency in a 220 nm-thin InGaAs absorber and very high Roff/Ron >1000. It leads to THz mixers driven by 1550-nm lasers showing conversion loss as low as ∼30 dB at 300 GHz. Therefore, this design is very promising for application as receivers in high-data-rate wireless telecom, in cw-THz spectrometers, or in photonics-enabled THz spectrum analyzers.Lire moins >
Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Projet ANR :
Source :
Fichiers
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