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Activité électrique de l'interface AlN/Si: identification de l'origine principale des pertes de propagation en hyperfréquences dans les composants GaN sur Silicium
Scientific Reports, Nature Publishing Group, 25-08-2020, 10; 1, 14166Compte-rendu et recension critique d'ouvragetexte intégral -
AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors Grown by MOVPE on 3C-SiC/Si(111) for RF Applications
Materials Science Forum, Trans Tech Publications Inc., 31-05-2022, 1062, 482-486Compte-rendu et recension critique d'ouvragetexte intégral -
Highlighting the role of 3C–SiC in the performance optimization of (Al,Ga)N‒based High‒Electron mobility transistors
Materials Science in Semiconductor Processing, Elsevier, 03-2024, 171, 107977Compte-rendu et recension critique d'ouvragetexte intégral -
Investigation of electrical activity at the AlN/Si interface using scanning capacitance microscopy and scanning spreading resistance microscopy
Wocsdice Exmatec 2021, Bristol (virtual), 14-06-2021, Proceedings of Wocsdice Exmatec 2021, 14-06-2021Communication dans un congrès avec actestexte intégral -
Performance improvement with non-alloyed ohmic contacts technology on AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors on 6H-SiC substrate
MICROELECTRONIC ENGINEERING, Elsevier, 05-2023, 276, 111998Compte-rendu et recension critique d'ouvragetexte intégral