Titre :

TCAD Simulations of graphene field-effect transistors based on the quantum capacitance effect

Auteur(s) :

Hafsi, B. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Boubaker, Aïmen [Auteur]
Ismaïl, Naoufel [Auteur]
Kalboussi, Adel [Auteur]
Lmimouni, Kamal [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Nanostructures, nanoComponents & Molecules - IEMN [NCM - IEMN]

Titre de la revue :

Journal of the Korean Physical Society

Pagination :

1201-1207

Éditeur :

Korean physical society

Date de publication :

2015-12-03

ISSN :

0374-4884

Discipline(s) HAL :

Physique [physics]

Langue :

Anglais

Vulgarisation :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL