Selective Area Molecular Beam Epitaxy of ...
Document type :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...): Communication dans un congrès avec actes
Title :
Selective Area Molecular Beam Epitaxy of in-plane InSb nanowires on mismatched substrates
Author(s) :
Desplanque, Ludovic [Auteur correspondant]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
EPItaxie et PHYsique des hétérostructures - IEMN [EPIPHY - IEMN]
Bucamp, Alexandre [Auteur]
Troadec, David [Auteur]
Centrale de Micro Nano Fabrication - IEMN [CMNF - IEMN]
Patriarche, Gilles [Auteur]
Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies [C2N]
Wallart, Xavier [Auteur]
EPItaxie et PHYsique des hétérostructures - IEMN [EPIPHY - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
EPItaxie et PHYsique des hétérostructures - IEMN [EPIPHY - IEMN]
Bucamp, Alexandre [Auteur]
Troadec, David [Auteur]

Centrale de Micro Nano Fabrication - IEMN [CMNF - IEMN]
Patriarche, Gilles [Auteur]
Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies [C2N]
Wallart, Xavier [Auteur]

EPItaxie et PHYsique des hétérostructures - IEMN [EPIPHY - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Conference title :
20th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (ICMBE)
City :
Shanghai
Country :
Chine
Start date of the conference :
2018-09-02
HAL domain(s) :
Physique [physics]
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Internationale
Popular science :
Non
Source :