Epi-design optimization in AlN/GaN HEMTs ...
Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
URL permanente :
Titre :
Epi-design optimization in AlN/GaN HEMTs for superior drain bias operation and reduced trapping effects
Auteur(s) :
Harrouche, Kathia [Auteur]
WIde baNd gap materials and Devices - IEMN [WIND - IEMN]
Ben-Hammou, Lyes [Auteur]
WIde baNd gap materials and Devices - IEMN [WIND - IEMN]
Grandpierron, François [Auteur]
WIde baNd gap materials and Devices - IEMN [WIND - IEMN]
Shanbhag, Ajay [Auteur]
Okada, Etienne [Auteur]
Plateforme de Caractérisation Multi-Physiques - IEMN [PCMP - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Medjdoub, Farid [Auteur]
WIde baNd gap materials and Devices - IEMN [WIND - IEMN]
WIde baNd gap materials and Devices - IEMN [WIND - IEMN]
Ben-Hammou, Lyes [Auteur]
WIde baNd gap materials and Devices - IEMN [WIND - IEMN]
Grandpierron, François [Auteur]
WIde baNd gap materials and Devices - IEMN [WIND - IEMN]
Shanbhag, Ajay [Auteur]
Okada, Etienne [Auteur]
Plateforme de Caractérisation Multi-Physiques - IEMN [PCMP - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Medjdoub, Farid [Auteur]
WIde baNd gap materials and Devices - IEMN [WIND - IEMN]
Titre de la manifestation scientifique :
14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14)
Ville :
Nagoya
Pays :
Japon
Date de début de la manifestation scientifique :
2023-11-12
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Internationale
Vulgarisation :
Non
Projet ANR :
Source :
Date de dépôt :
2024-02-09T05:33:46Z
Fichiers
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