Title :

Power Handling of GaN Schottky Diodes on Semi-Insulating Ammonothermal GaN Substrate at 94 GHz

Author(s) :

Abou Daher, Mahmoud [Auteur]
Advanced NanOmeter DEvices - IEMN [ANODE - IEMN]
Bouillaud, Hugo [Auteur]
Advanced NanOmeter DEvices - IEMN [ANODE - IEMN]
Prystawko, Pawel [Auteur]
Institute of High Pressure Physics [Warsaw] [IHPP]
Bockowski, Michal [Auteur]
Institute of High Pressure Physics [Warsaw] [IHPP]
Okada, Etienne [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Plateforme de Caractérisation Multi-Physiques - IEMN - RFNET [PCMP - IEMN - RFNET]
Zegaoui, Malek [Auteur]
Institut de Recherche sur les Composants logiciels et matériels pour l'Information et la Communication Avancée - UAR 3380 [IRCICA]
Ducournau, Guillaume [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Roelens, Yannick [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Advanced NanOmeter DEvices - IEMN [ANODE - IEMN]
Zaknoune, Mohammed [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Advanced NanOmeter DEvices - IEMN [ANODE - IEMN]

Conference title :

WOCSDICE-EXMATEC

City :

Palerme (Italie)

Country :

Italie

Start date of the conference :

2023-05-21

Publication date :

2023-05-25

English keyword(s) :

GaN Device

HAL domain(s) :

Sciences de l'ingénieur [physics]/Micro et nanotechnologies/Microélectronique

English abstract : [en]

In this paper, we report electrical results and handling power results of different Schottky diodes based on 620 nm of n- Gallium Nitride (GaN) fabricated on ammonothermal GaN substrate. The breakdown voltage obtained is ...
Show more >In this paper, we report electrical results and handling power results of different Schottky diodes based on 620 nm of n- Gallium Nitride (GaN) fabricated on ammonothermal GaN substrate. The breakdown voltage obtained is 115 V/µm. Diodes held 29.6 dBm at zero bias and we detected an output voltage of 16.5 V at 94 GHzShow less >

Language :

Anglais

Peer reviewed article :

Oui

Audience :

Internationale

Popular science :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL