Title :

Giant Electroresistance of Super-tetragonal BiFeO3-Based Ferroelectric Tunnel Junctions

Author(s) :

Yamada, Hiroyuki [Auteur]
Laboratoire Albert Fert (ex-UMPhy Unité mixte de physique CNRS/Thales)
Garcia, Vincent [Auteur]
Laboratoire Albert Fert (ex-UMPhy Unité mixte de physique CNRS/Thales)
Fusil, Stéphane [Auteur]
Laboratoire Albert Fert (ex-UMPhy Unité mixte de physique CNRS/Thales)
Boyn, Sören [Auteur]
Laboratoire Albert Fert (ex-UMPhy Unité mixte de physique CNRS/Thales)
Marinova, Maya [Auteur]
Laboratoire de Physique des Solides [LPS]
Gloter, Alexandre [Auteur]
Laboratoire de Physique des Solides [LPS]
Xavier, Stéphane [Auteur]
Thales Research and Technology [Palaiseau]
Grollier, Julie [Auteur]
Laboratoire Albert Fert (ex-UMPhy Unité mixte de physique CNRS/Thales)
Jacquet, Eric [Auteur]
Laboratoire Albert Fert (ex-UMPhy Unité mixte de physique CNRS/Thales)
Carrétéro, Cécile [Auteur]
Laboratoire Albert Fert (ex-UMPhy Unité mixte de physique CNRS/Thales)
Deranlot, Cyrile [Auteur]
Laboratoire Albert Fert (ex-UMPhy Unité mixte de physique CNRS/Thales)
Bibes, Manuel [Auteur]
Laboratoire Albert Fert (ex-UMPhy Unité mixte de physique CNRS/Thales)
Barthélémy, Agnès [Auteur]
Laboratoire Albert Fert (ex-UMPhy Unité mixte de physique CNRS/Thales)

Journal title :

ACS Nano

Volume number :

7

Pages :

5385-5390

Publication date :

2013

HAL domain(s) :

Chimie/Matériaux

English abstract : [en]

Ferroelectric tunnel junctions enable a nondestructive readout of the ferroelectric state via a change of resistance induced by switching the ferroelectric polarization. We fabricated submicrometer solid-state ferroelectric ...
Show more >Ferroelectric tunnel junctions enable a nondestructive readout of the ferroelectric state via a change of resistance induced by switching the ferroelectric polarization. We fabricated submicrometer solid-state ferroelectric tunnel junctions based on a recently discovered polymorph of BiFeO3 with giant axial ratio (“T-phase”). Applying voltage pulses to the junctions leads to the highest resistance changes (OFF/ON ratio >10 000) ever reported with ferroelectric tunnel junctions. Along with the good retention properties, this giant effect reinforces the interest in nonvolatile memories based on ferroelectric tunnel junctions. We also show that the changes in resistance scale with the nucleation and growth of ferroelectric domains in the ultrathin BiFeO3 (imaged by piezoresponse force microscopy), thereby suggesting potential as multilevel memory cells and memristors.Show less >

Language :

Anglais

Peer reviewed article :

Oui

Audience :

Internationale

Popular science :

Non

European Project :

FerroElectric Multifunctional tunnel junctions for MEmristors and Spintronics

ANR Project :

Réseau de neurones artificiels à base de memristors et de circuits intégrés
Nouvelles interfaces magnétoélectriques pour la spintronique faible puissance
Parois de domaines multiferroiques

Collections :

• Autres travaux scientifiques

Submission date :

2019-06-17T08:43:23Z
2020-03-16T16:23:47Z