Analysis of the gate-size dependence of ...

Document type :
Communication dans un congrès avec actes
Title :
Analysis of the gate-size dependence of microwave detection with GaN-based HEMTs
Author(s) :
Paz-Martínez, Gaudencio [Auteur]
Departamento de Fisica Aplicada [Salamanca]
Mateos, Javier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Artillan, Philippe [Auteur]
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation [IMEP-LAHC ]
Centre National de la Recherche Scientifique [CNRS]
Centre de Radiofréquences, Optique et Micro-nanoélectronique des Alpes [CROMA]
Université Savoie Mont Blanc [USMB [Université de Savoie] [Université de Chambéry]]
Rochefeuille, Edouard [Auteur]
Centre de Radiofréquences, Optique et Micro-nanoélectronique des Alpes [CROMA]
González, Tomás [Auteur]
Íñiguez-De-La-Torre, Ignacio [Auteur]
Universidad de Salamanca [España] = University of Salamanca [Spain]
Conference title :
14th Spanish Conference on Electron Devices (CDE'23)
City :
Valencia
Country :
Espagne
Start date of the conference :
2023-06-06
HAL domain(s) :
Sciences de l'ingénieur [physics]/Micro et nanotechnologies/Microélectronique
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Internationale
Popular science :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL