Investigation of the origin of deep levels in Carbon-doped AlN/GaN/AlGaN HEMTs

Hammou, L. Ben; Grandpierron, Francois; Carneiro, Elodie; Ziouche, Katir; Okada, Etienne; Medjdoub, Farid

Type de document :

Communication dans un congrès avec actes

Titre :

Investigation of the origin of deep levels in Carbon-doped AlN/GaN/AlGaN HEMTs

Auteur(s) :

Hammou, L. Ben [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
WIde baNd gap materials and Devices - IEMN [WIND - IEMN]
Grandpierron, Francois [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
WIde baNd gap materials and Devices - IEMN [WIND - IEMN]
Carneiro, Elodie [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
EasyGaN
WIde baNd gap materials and Devices - IEMN [WIND - IEMN]
Ziouche, Katir [Auteur]

WIde baNd gap materials and Devices - IEMN [WIND - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Okada, Etienne [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Plateforme de Caractérisation Multi-Physiques - IEMN [PCMP - IEMN]
Medjdoub, Farid [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
WIde baNd gap materials and Devices - IEMN [WIND - IEMN]

Titre de la manifestation scientifique :

7th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits

Ville :

Heraklion

Pays :

Grèce

Date de début de la manifestation scientifique :

2024-05-19

Titre de l’ouvrage :

Proceeding of WOCSDICE 2024

Discipline(s) HAL :

Sciences de l'ingénieur [physics]

Résumé en anglais : [en]

<div><p>In this work, we focused on understanding the origin and impact of deep levels in various AlN/GaN HEMTs with carbon doped GaN buffer including or not an AlGaN back barrier. It is shown that the inclusion of a back ...
Lire la suite ><div><p>In this work, we focused on understanding the origin and impact of deep levels in various AlN/GaN HEMTs with carbon doped GaN buffer including or not an AlGaN back barrier. It is shown that the inclusion of a back barrier reduces drastically the current collapse. Furthermore, we examined the effect of carbon doping within the back barrier by comparing deep level signatures obtained from three variants. We show that a high concentration of carbon in the AlGaN back barrier screens the impact of carbon doping in the GaN buffer to a certain extent.</p></div>Lire moins >

Langue :

Anglais

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Internationale

Vulgarisation :

Non

Projet ANR :

Réseau national sur GaN

Collections :