Titre :

Impact of Carbon-doped AlGaN back barrier in AlN/GaN/AlGaN HEMTs

Auteur(s) :

Grandpierron, François [Auteur]
WIde baNd gap materials and Devices - IEMN [WIND - IEMN]
Carneiro, Elodie [Auteur]
EasyGaN
WIde baNd gap materials and Devices - IEMN [WIND - IEMN]
Hammou, L. Ben [Auteur]
WIde baNd gap materials and Devices - IEMN [WIND - IEMN]
Okada, Etienne [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Plateforme de Caractérisation Multi-Physiques - IEMN [PCMP - IEMN]
Strate, J. [Auteur]
SOITEC
Germain, M. [Auteur]
SOITEC
Medjdoub, Farid [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
WIde baNd gap materials and Devices - IEMN [WIND - IEMN]

Titre de la manifestation scientifique :

47th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits

Ville :

Heraklion

Pays :

Grèce

Date de début de la manifestation scientifique :

2024-05-19

Titre de l’ouvrage :

Proceeding of WOCSDICE 2024

Discipline(s) HAL :

Sciences de l'ingénieur [physics]

Résumé en anglais : [en]

<div><p>The impact of carbon doping into the AlGaN back barrier in AlN/GaN HEMTs is investigated. In this work, we demonstrate that a back polarization itself is not enough to ensure a proper electron confinement under ...
Lire la suite ><div><p>The impact of carbon doping into the AlGaN back barrier in AlN/GaN HEMTs is investigated. In this work, we demonstrate that a back polarization itself is not enough to ensure a proper electron confinement under high field, especially when using sub-150 nm. Experimental results are supported by TCAD showing that a doping compensation needs to be combined with the back barrier to allow for superior drain bias operation in the millimeter-wave range.</p></div>Lire moins >

Langue :

Anglais

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Internationale

Vulgarisation :

Non

Projet ANR :

Réseau national sur GaN

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL