Comparison of Impedance Matching Networks for Scanning Microwave Microscopy

Hoffmann, Johannes; de Préville, Sophie; Eckmann, Bruno; Lin, Hung-Ju; Herzog, Benedikt; Haddadi, Kamel; Théron, Didier; Gramse, Georg; Richert, Damien; Morán-Meza, José; Piquemal, François

Type de document :

Article dans une revue scientifique: Article original

DOI :

10.1109/TIM.2024.3378310

Titre :

Comparison of Impedance Matching Networks for Scanning Microwave Microscopy

Auteur(s) :

Hoffmann, Johannes [Auteur]
Swiss Federal Office of Metrology [METAS]
de Préville, Sophie [Auteur]
Swiss Federal Office of Metrology [METAS]
Eckmann, Bruno [Auteur]
Swiss Federal Office of Metrology [METAS]
Lin, Hung-Ju [Auteur]
Swiss Federal Office of Metrology [METAS]
Herzog, Benedikt [Auteur]
Haddadi, Kamel [Auteur]

Circuits Systèmes Applications des Micro-ondes - IEMN [CSAM - IEMN ]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Théron, Didier [Auteur]

Nano and Microsystems - IEMN [NAM6 - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Gramse, Georg [Auteur]
University of Linz - Johannes Kepler Universität Linz [JKU]
Richert, Damien [Auteur]
Institut des Nanotechnologies de Lyon [INL]
Laboratoire National de Métrologie et d'Essais [Trappes] [LNE ]
Morán-Meza, José [Auteur]
Laboratoire National de Métrologie et d'Essais [Trappes] [LNE ]
Piquemal, François [Auteur]
Laboratoire National de Métrologie et d'Essais [Trappes] [LNE ]

Titre de la revue :

IEEE Transactions on Instrumentation and Measurement

Pagination :

6006109

Éditeur :

Institute of Electrical and Electronics Engineers

Date de publication :

2024-03-20

ISSN :

0018-9456

Mot(s)-clé(s) en anglais :

Impedance
Impedance Matching
Scanning Microwave Microscopy
Gain Measurement
Noise Measurement

Discipline(s) HAL :

Sciences de l'ingénieur [physics]

Résumé :

Cet article donne une définition du gain et du bruit ajouté par les circuits d'adaptation d'impédance utilisés pour la microscopie en champ proche en hyperfréquences. Cette définition peut être utilisée pour comparer ...
Lire la suite >Cet article donne une définition du gain et du bruit ajouté par les circuits d'adaptation d'impédance utilisés pour la microscopie en champ proche en hyperfréquences. Cette définition peut être utilisée pour comparer différentes techniques d'adaptation d'impédance indépendamment de l'instrument utilisé pour mesurer les paramètres S. À titre de démonstration, des dispositifs d'adaptation d'impédance composés d'une ligne Beatty, d'un tuner ou d'un interféromètre avec et sans amplificateur ont été étudiés. Les fréquences de mesure utilisées vont jusqu'à 28 GHz et le gain maximal obtenu est de 9504,7 par Siemens.Lire moins >

Résumé en anglais : [en]

In this paper, a definition of the gain and added noise of impedance matching networks for scanning microwave microscopy is given. This definition can be used to compare different impedance matching techniques independently ...
Lire la suite >In this paper, a definition of the gain and added noise of impedance matching networks for scanning microwave microscopy is given. This definition can be used to compare different impedance matching techniques independently of the instrument used to measure the S-parameter. As a demonstration, impedance matching devices consisting of a Beatty line, a tuner, and interferometric setups with and without amplifiers have been investigated. Measurement frequencies up to 28 GHz are used, and the maximal resulting gain found was 9504.7 per Siemens.Lire moins >

Langue :

Anglais

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Internationale

Vulgarisation :

Non

Projet Européen :

Electrical nanoscale metrology in industry

Collections :