Temperature and doping level effect on ...

Type de document :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...): Communication dans un congrès avec actes
URL permanente :
http://hdl.handle.net/20.500.12210/118953
Titre :
Temperature and doping level effect on silicon thermal conductivity measured by 3ω method
Auteur(s) :
Acosta, C. [Auteur]
Centre d'Energétique et de Thermique de Lyon [CETHIL]
Brouillard, M. [Auteur]
Microélectronique Silicium - IEMN [MICROELEC SI - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Robillard, Jean-François [Auteur] refId
Microélectronique Silicium - IEMN [MICROELEC SI - IEMN]
Horny, N. [Auteur]
Institut de Thermique, Mécanique, Matériaux [ITheMM]
Gomès, S. [Auteur]
Centre d'Energétique et de Thermique de Lyon [CETHIL]
Chapuis, P.-O. [Auteur]
Centre d'Energétique et de Thermique de Lyon [CETHIL]
Titre de la manifestation scientifique :
Nanoscale and Microscale Heat Transfer VIII (NMHT 2024)
Ville :
Girona
Pays :
Espagne
Date de début de la manifestation scientifique :
2024-06-03
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Internationale
Vulgarisation :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL
Date de dépôt :
2024-11-26T04:01:32Z