Titre :

Numerical schemes for semiconductors energy- transport models

Auteur(s) :

Bessemoulin-Chatard, Marianne [Auteur]
Laboratoire de Mathématiques Jean Leray [LMJL]
Chainais-Hillairet, Claire [Auteur]
Reliable numerical approximations of dissipative systems [RAPSODI]
Mathis, Hélène [Auteur]
Laboratoire de Mathématiques Jean Leray [LMJL]

Titre de la manifestation scientifique :

Finite Volumes for Complex Applications IX

Ville :

Bergen

Pays :

Norvège

Date de début de la manifestation scientifique :

2020-06-15

Titre de la revue :

Finite Volumes for Complex Applications IX - Methods, Theoretical Aspects, Examples (R. Klöfkorn, E. Keilegavlen, F. A. Radu, and J. Fuhrmann, eds.),

Éditeur :

Springer, Cham

Mot(s)-clé(s) en anglais :

energy-tranport model
finite volumes
entropy method

Discipline(s) HAL :

Mathématiques [math]/Analyse numérique [math.NA]

Résumé en anglais : [en]

We introduce some finite volume schemes for unipolar energy-transportmodels. Using a reformulation in dual entropy variables, we can show the decay ofa discrete entropy with control of the discrete entropy dissipation.We introduce some finite volume schemes for unipolar energy-transportmodels. Using a reformulation in dual entropy variables, we can show the decay ofa discrete entropy with control of the discrete entropy dissipation.Lire moins >

Langue :

Anglais

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Internationale

Vulgarisation :

Non

Projet ANR :

Centre de Mathématiques Henri Lebesgue : fondements, interactions, applications et Formation

Collections :

• Laboratoire Paul Painlevé - UMR 8524

Source :

Harvested from HAL