Etude de compatibilité d'un film d'oxy-nitrure de silicium déposé à basse température par voie chimique en phase vapeur assisté plasma (PECVD) avec les résines organiques sous-jacentes utilisées dans les intégrations de puces Imageurs

Abstract

Les capteurs d'image CMS intègrent des matrices de microlentilles permettant d'accroitre leur rendement. Ces microlentilles polymères sont recouvertes d'un diélectrique transparent (Oxyde ou Oxynitrure de Silicium) déposé par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma. Dans ces puces, le défi principal est de faire cohabiter un matériau polymère s'expandant aisément lors de la montée en température et un diélectrique dont les propiétés ne varient que peux avec la température.Cette cohabitation doit se faire aussi bien lors de la suite de la fabrication du capteur que durant toute la durée d'utilisation du capteur d'image.L'objectif de ce travail est d'étudier la compatibilité entre différentes résines polymères et le diélectrique d'encapsulation utilisées dans les puces d'STMicrolectronics.Pour cela, les propriétés mécaniques en température de différentes résines ont été caractérisées. Dans le but d'étudier la dégradation des polymères dans un plasma oxydant leurs propriétés chimiques ont été mesurées après exposition au plasma utilisé pour le dépôt du diélectrique d'encapsulation.Les propriétés du diélectrique d'encapsulation ont de même été mesurées après dépôt du dépôt sur différentes résines et un lien entre la dégradation du substrat polymère et les propirétés du diélectrique a été observé.Enfin, une étude de l'influence des paramètres de dépôt du matériau diélectrique a permis d'émettre des recommandations.