Title :

ScAlN/GaN-on-Si (111) HEMTs for RF applications

Author(s) :

El Whibi, Seif [Auteur]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Bhat, Nagesh [Auteur]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Fouzi, Yassine [Auteur]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
de France, Nicolas [Auteur]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
de Jaeger, Jean Claude [Auteur]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Bougrioua, Zahia [Auteur]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Bartoli, Florian [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Hugues, Maxime [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Cordier, Yvon [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Lesecq, Marie [Auteur]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]

Journal title :

Applied Physics Express

Publisher :

IOPScience - Japan Society of Applied Physics

Publication date :

2025-03-26

ISSN :

1882-0786

HAL domain(s) :

Sciences de l'ingénieur [physics]
Physique [physics]

English abstract : [en]

Abstract ScAlN is a promising barrier material for next generation RF high electron mobility transistors, outperforming AlGaN thanks a higher 2-dimensional electron gas (2DEG) density and a thinner barrier with a lower ...
Show more >Abstract ScAlN is a promising barrier material for next generation RF high electron mobility transistors, outperforming AlGaN thanks a higher 2-dimensional electron gas (2DEG) density and a thinner barrier with a lower lattice mismatch with GaN. A sub-10 nm barrier ScAlN/GaN heterostructure, grown by ammonia-source molecular beam epitaxy on Si(111), is processed into transistors. The 2DEG density is 1.6x10 13 cm -2 with a mobility μ ∼ 621 cm 2 /V.s. A 75-nm gate length transistor exhibits a drain current density of 1.35 A/mm, a transconductance of ~284 mS/mm, a current gain cutoff frequency of 82 GHz and a maximum oscillation frequency of 112 GHz.Show less >

Language :

Anglais

Peer reviewed article :

Oui

Audience :

Internationale

Popular science :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL

Submission date :

2025-03-28T07:07:55Z