Titre :

Optimized two-step growth of large surface two-dimensional boron nitride on Ge (001) films by molecular beam epitaxy

Auteur(s) :

Batista Pessoa, Walter [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
EPItaxie et PHYsique des hétérostructures - IEMN [EPIPHY - IEMN]
Franck, Max [Auteur]
IHP - Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik
Nuns, Nicolas [Auteur]
Institut Michel Eugène Chevreul - FR 2638 [IMEC]
Dabrowski, Jarek [Auteur]
IHP - Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik
Achehboune, Mohamed [Auteur]
Université de Namur [Namur] [UNamur]
Colomer, Jean-Francois [Auteur]
Université de Namur [Namur] [UNamur]
Henrard, Luc [Auteur]
Université de Namur [Namur] [UNamur]
Lukosius, Mindaugas [Auteur]
IHP - Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik
Wallart, Xavier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
EPItaxie et PHYsique des hétérostructures - IEMN [EPIPHY - IEMN]
Vignaud, Dominique [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
EPItaxie et PHYsique des hétérostructures - IEMN [EPIPHY - IEMN]

Titre de la revue :

Applied Surface Science

Pagination :

163165

Éditeur :

Elsevier

Date de publication :

2025-08

ISSN :

0169-4332

Discipline(s) HAL :

Physique [physics]
Sciences de l'ingénieur [physics]

Résumé en anglais : [en]

The growth of two-dimensional boron nitride (2D-BN) thin films on Ge (001) has been studied, with the ultimate goal of integrating this material into Si technology. Molecular beam epitaxy was used in a dedicated ultra-high ...
Lire la suite >The growth of two-dimensional boron nitride (2D-BN) thin films on Ge (001) has been studied, with the ultimate goal of integrating this material into Si technology. Molecular beam epitaxy was used in a dedicated ultra-high vacuum chamber. To avoid the formation of thermal pits on heating the Ge film above ∼750 °C, a two-step procedure was optimized. A thin 2D-BN buffer layer is first grown at ∼730 °C using two independent cells for B and N, aimed at stabilizing the Ge surface and to prevent thermal pits formation upon further heating. The second-step at 800 °C makes use of another precursor, gaseous borazine, in the same chamber. The growth proceeds in a step-flow mode, and results in homogeneous nano-crystalline large-surface 2D-BN films with a ∼1 nm roughness.Lire moins >

Langue :

Anglais

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Internationale

Vulgarisation :

Non

Projet ANR :

hBN/Graphene 2D Heterostructures: from scalable growth to integration

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL

Date de dépôt :

2025-04-19T02:56:00Z