Caractérisation des capacités inter-électrodes ...
Document type :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...): Communication dans un congrès sans actes
Permalink :
Title :
Caractérisation des capacités inter-électrodes d'un SiC-JFET " Normally-off " en régime désaturé
Author(s) :
LI, Ke [Auteur correspondant]
Laboratoire d’Électrotechnique et d’Électronique de Puissance - ULR 2697 [L2EP]
Videt, Arnaud [Auteur]
Laboratoire d’Électrotechnique et d’Électronique de Puissance - ULR 2697 [L2EP]
IDIR, Nadir [Auteur]
Laboratoire d’Électrotechnique et d’Électronique de Puissance - ULR 2697 [L2EP]
Laboratoire d’Électrotechnique et d’Électronique de Puissance - ULR 2697 [L2EP]
Videt, Arnaud [Auteur]

Laboratoire d’Électrotechnique et d’Électronique de Puissance - ULR 2697 [L2EP]
IDIR, Nadir [Auteur]

Laboratoire d’Électrotechnique et d’Électronique de Puissance - ULR 2697 [L2EP]
Conference title :
Symposium de Génie Électrique 2014
City :
Cachan
Country :
France
Start date of the conference :
2014-07-08
HAL domain(s) :
Sciences de l'ingénieur [physics]/Energie électrique
French abstract :
Afin d'étudier les commutations du transistor SiC-JFET "Normally-off", l'évolution des capacités inter-électrodes est présentée dans ce papier lorsque le composant est en régime désaturé. La capacité de contre-réaction Cgd ...
Show more >Afin d'étudier les commutations du transistor SiC-JFET "Normally-off", l'évolution des capacités inter-électrodes est présentée dans ce papier lorsque le composant est en régime désaturé. La capacité de contre-réaction Cgd est tout d'abord caractérisée par la méthode des pinces de courant et ensuite validée par la mesure à l'aide d'analyseur d'impédance. Ces méthodes de caractérisation sont ensuite appliquées à la mesure de la capacité de sortie Coss, et montrent une forte augmentation de capacité apparente en régime désaturé. L'influence de la résistance de grille interne est alors étudiée, soulevant la problématique de mesure des capacités inter-électrodes des composants de puissance lorsque le canal conduit. Les résultats de caractérisation permettent finalement la mise en oeuvre d'un modèle comportemental dont le comportement en commutation est validé par des mesures sur un hacheur buck.Show less >
Show more >Afin d'étudier les commutations du transistor SiC-JFET "Normally-off", l'évolution des capacités inter-électrodes est présentée dans ce papier lorsque le composant est en régime désaturé. La capacité de contre-réaction Cgd est tout d'abord caractérisée par la méthode des pinces de courant et ensuite validée par la mesure à l'aide d'analyseur d'impédance. Ces méthodes de caractérisation sont ensuite appliquées à la mesure de la capacité de sortie Coss, et montrent une forte augmentation de capacité apparente en régime désaturé. L'influence de la résistance de grille interne est alors étudiée, soulevant la problématique de mesure des capacités inter-électrodes des composants de puissance lorsque le canal conduit. Les résultats de caractérisation permettent finalement la mise en oeuvre d'un modèle comportemental dont le comportement en commutation est validé par des mesures sur un hacheur buck.Show less >
Language :
Français
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Nationale
Popular science :
Non
Research team(s) :
Équipe Électronique de puissance
Submission date :
2020-05-15T14:16:25Z
2022-03-16T07:51:37Z
2022-03-16T07:51:37Z
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