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Analyse physique et thermique des structures TLM AlGaN/GaN
15èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2007, Toulouse, 23-05-2007, Actes des 15èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2007, LAAS, Toulouse, France, 2007Communication dans un congrès avec actes -
Détermination de caractéristiques I(V) en régime dynamique grand signal de transistors HEMTs AlGaN/GaN sur substrat saphir
3ème Ecole Thématique CNRS : Matériaux Nitrures d'Eléments III, La Plagne, 2002, 2002 -
Isolation de transistors dans la filière nitrure de gallium par implantation d'argon
9èmes Journées Nationales Microélectronique et Optoélectronique, JNMO 2002, Saint Aigulf, 2002, 2002 -
Analyse physique des HEMTs à base de nitrure de gallium
GDR Semiconducteurs à large bande interdite, Montpellier, 2002, 2002 -
Étude du comportement thermique de différents substrats à partir d'un modèle physico-thermique
16èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2009, 2009, Actes des 16èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2009, _, 2009Communication dans un congrès avec actes -
Premiers résultats de puissance à 4 GHz obtenus sur HEMTs AlGaN/GaN en technologie planar
2003, Actes des 13èmes Jounées Nationales Microondes, JNM 2003, Institut d'Electronique, Microélectronique et Nanotechnologie, Villeneuve d'Ascq, France, 2003Communication dans un congrès avec actes -
Récents résultats et perspectives du laboratoire TIGER dans le domaine des composants HEMT AlGaN/GaN
14èmes Journées Nationales Microondes, Nantes, 2005, 2005Communication dans un congrès avec actes -
STARGAN : études de structures avancées de la filière nitrure de gallium (GaN)
Journées Nationales en Nanosciences et Nanotechnologies, J3N 2013, Marseille, 2013 -
[Invité] Etat de l'art et défis du GaN pour l'électronique
14èmes Journées Nano, Micro et Optoélectronique, JNMO 2013, Table ronde, Evian, 2013