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Premiers résultats de MESFET's GaN réalisés sur substrat slicium (111)
8èmes Journées Nationales Microélectronique et Optoélectronique, JNMO 2001, Aussois, 2001, 2001 -
Caractérisation expérimentale de HEMTs de puissance destinée à la modélisation
15èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2007, Toulouse, 23-05-2007, Actes des 15èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2007, LAAS, Toulouse, France, 2007Communication dans un congrès avec actes -
Réalisation de grille nitrure de longueur inférieure à 100nm pour des applications haute fréquence de HEMTs AlGaN/GaN
15èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2007, 2007, Actes des 15èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2007, LAAS, Toulouse, France, 2007Communication dans un congrès avec actes -
Caractérisation de transistors à effet de champ à base de GaN
3ème Ecole Thématique CNRS : Matériaux Nitrures d'Eléments III, La Plagne, 2002, 2002 -
Mesures pulsées haute température en mode DC et RF de HEMTs AlGaN/GaN sur substrat silicium haute résistivité
GDR Grand Gap, Fréjus, 2004, 2004 -
Analyse physique de transistors HEMTs AlGaN/GaN élaborés avec la technologie field plate
10èmes Journées de la Matière Condensée, Toulouse, 28-08-2006, 2006 -
Conception et réalisation de transistors HEMT AlGaN/GaN avec différentes topologies fieldplate
10èmes Journées de la Matière Condensée, Toulouse, 28-08-2006, 2006 -
Performance à 60 GHz de HEMTs métamorphiques sur GaAs utilisant une technologie à double recess
9èmes Journées Nationales Microélectronique et Optoélectronique, JNMO 2002, Saint Aigulf, 2002, 2002 -
Management thermique des transistors HEMT AlGaN/GaN
GDR Grand Gap, Nice, 2003, 2003 -
Influence de la température sur les caractéristiques pulsées statiques et hyperfréquences des HEMTs AlGaN/GaN sur substrat silicium résistif (111)
2003, Actes des 13èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2003, Institut d'Electronique, Microélectronique et Nanotechnologie, Villeneuve d'Ascq, France, 2003Communication dans un congrès avec actes