Analyse physique de transistors HEMTs ...

Type de document :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...): Communication dans un congrès avec actes
Titre :
Analyse physique de transistors HEMTs AlGaN/GaN élaborés avec la technologie field plate
Auteur(s) :
Benbakhti, Brahim [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Rousseau, Michel [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Gerbedoen, J-C [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Titre de la manifestation scientifique :
10èmes Journées de la Matière Condensée
Ville :
Toulouse
Pays :
France
Date de début de la manifestation scientifique :
2006-08-28
Date de publication :
2006
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Langue :
Français
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL