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Amélioration des propriétés de transport dans les transistors HEMT composés de semi-conducteurs borés à larges bande interdite (III-B)-N
FR2974242 (A1), 19-10-2012Brevet -
Caractérisation électrique et hyperfréquence d'épitaxie AlGaN/GaN sur substrat résistif Si(111)
13èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Microélectronique, JNRDM 2010, 2010, Actes des 13èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Microélectronique, JNRDM 2010, _, 2010Communication dans un congrès avec actes -
Méthode de caractérisation de transistors GaN pour la conception des convertisseurs statiques hautes fréquences
Symposium de Génie Electrique, Nancy, 03-07-2018Communication dans un congrès avec actestexte intégral -
Conception et réalisation de transistors de type FP-HEMT AlGaN/GaN
15èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2007, 2007, Actes des 15èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2007, LAAS, Toulouse, France, 2007Communication dans un congrès avec actes -
Etude des propriétés électroniques des surfaces et interfaces de semiconducteurs III-V par photoluminescence
15èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2007, 2007, Actes des 15èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2007, LAAS, Toulouse, France, 2007Communication dans un congrès avec actes -
Mise en place d'un modèle physique pour l'analyse électrothermique des transistors de puissance des filières de matériaux à grande bande interdite
Journées Thématiques du GDR Nanoélectronique sur la Simulation Multiphysique de Composants et Dispositifs Nanométriques, Villeneuve d'Ascq, 2007 -
Conception et réalisation de transistors FP-HEMT AlGaN/GaN
10èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Microélectronique, JNRDM, Lille, 2007 -
Etude physique des HEMTs à base de nitrure de gallium
2003, Actes des 13èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2003, Institut d'Electronique, Microélectronique et Nanotechnologie, Villeneuve d'Ascq, France, 2003Communication dans un congrès avec actes -
Etude physique du phénomène de claquage par avalanche dans les transistors à effet de champ
2003, Actes des 13èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2003, Institut d'Electronique, Microélectronique et Nanotechnologie, Villeneuve d'Ascq, France, 2003Communication dans un congrès avec actes -
Performances en puissance à 60 GHz du HEMT à canal composite GaInAs/InP sur substrat InP avec LG = 0.15 µm
8èmes Journées Nationales Microélectronique et Optoélectronique, JNMO 2001, Aussois, 15-01-2001, 2001