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Caractérisation et modélisation haute fréquence en modes mixtes de varicap MOS
16èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2009, 2009, Actes des 16èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2009, _, 2009Communication dans un congrès avec actes -
Caractérisation sur plaque de varicap MOS subfemtofarad en technologie silicium
11èmes Journées de Caractérisation Microondes et Matériaux, JCMM 2010, Brest, 2010 -
Amplificateur de puissance GaN à haut rendement avec polarisation dynamique
18èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2013, Paris, 2013, Actes des 18èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2013, 2013Communication dans un congrès avec actes -
Caractérisation de l'auto-échauffement des TBHs SiGe:C par l'extraction de l'impédance thermique
18èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2013, Paris, 15-05-2013, Actes des 18èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2013, 2013Communication dans un congrès avec actes -
[Invité] Caractérisation des composants silicium en gamme de fréquence millimétrique
Journées Thématiques du GdR Ondes, RF/millimétrique et optique intégrée, Grenoble, 2013 -
Caractérisation et analyse des effets de pièges électriques sur la fiabilité de HEMTS AlGaN/GaN
17èmes Journées Nationales Micro-ondes, JNM 2011, Brest, 2011, Actes des 17èmes Journées Nationales Micro-ondes, JNM 2011, 2011Communication dans un congrès avec actes -
Tuner intégré large bande en gamme de fréquences millimétriques pour la caractérisation en technologie BiCMOS 55 nm
XXIIèmes Journées Nationales Microondes, Limoges, 07-06-2022, Tuner intégré large bande en gamme de fréquences millimétriques pour la caractérisation en technologie BiCMOS 55 nmCommunication dans un congrès avec actes -
Composants plasmoniques à base d'hétérojonction AlGaN/GaN pour les applications terahertz
15èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2007, 2007, Actes des 15èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2007, LAAS, Toulouse, France, 2007Communication dans un congrès avec actes -
Adaptateur d'impédance automatique compact en guide d'onde
FR2886768 (A1), 08-12-2006Brevet -
Amélioration de la fréquence maximale d'oscillation de transistors nLDEMOS de puissance en nœud CMOS 0.13µm
12èmes Journées Nano, Micro et Optoélectronique, JNMO'08, St Pierre d'Oléron, 2008