Recherche
Résultats 11-20 de 59
-
Utilisation de la technologie de grille nitrure pour la réalisation de HEMTs AlGaN/GaN
Actes des 14èmes Journées Nationales Microondes, Nantes, 2005, 2005 -
Modèle hydrodynamique de transistors HEMTs pour la conception de circuits hyperfréquences
2003, Actes des 13èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2003, Institut d'Electronique, Microélectronique et Nanotechnologie, Villeneuve d'Ascq, France, 2003Communication dans un congrès avec actes -
Amélioration des performances des HEMTs AlGaN/GaN sur substrat Si
GDR Grand Gap, Fréjus, 2004, 2004 -
Bruit dans les nouveaux composants et matériaux ou bruit fiabilité
Workshop Action Spécifique Bruit : Bruit en régime linéaire et non-linéaire dans les composants et circuits de télécommunications, La Grande Motte, 2004, 2004 -
Mise en œuvre d'un modèle physique électrothermique pour la simulation de transistors à effet de champ de puissance
Actes des 14èmes Journées Nationales Microndes, Nantes, 11-05-2005, 2005 -
Caractérisation DC-pulsé grand signal de HEMTs de puissance
Actes des 14èmes Journées Nationales Microondes, Nantes, 2005, 2005 -
Evolution de caractéristiques statiques de HEMTs AlGaN/GaN soumis à un stress électrique réalisé à différentes températures
13es Journées Nationales Microondes, Lille, 2003 -
Amélioration des propriétés de transport dans les transistors HEMT composés de semi-conducteurs borés à larges bande interdite (III-B)-N
FR2974242 (A1), 19-10-2012Brevet -
Caractérisation électrique et hyperfréquence d'épitaxie AlGaN/GaN sur substrat résistif Si(111)
13èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Microélectronique, JNRDM 2010, 2010, Actes des 13èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Microélectronique, JNRDM 2010, _, 2010Communication dans un congrès avec actes -
Performances en puissance à 60 GHz du HEMT à canal composite GaInAs/InP sur substrat InP avec LG = 0.15 µm
8èmes Journées Nationales Microélectronique et Optoélectronique, JNMO 2001, Aussois, 15-01-2001, 2001