Recherche
Résultats 51-59 de 59
-
Etude physique du phénomène de claquage par avalanche dans les transistors à effet de champ
2003, Actes des 13èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2003, Institut d'Electronique, Microélectronique et Nanotechnologie, Villeneuve d'Ascq, France, 2003Communication dans un congrès avec actes -
Etude physique des HEMTs à base de nitrure de gallium
2003, Actes des 13èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2003, Institut d'Electronique, Microélectronique et Nanotechnologie, Villeneuve d'Ascq, France, 2003Communication dans un congrès avec actes -
Passivation de MESFET's sur GaN
8èmes Journées Nationales Microélectronique et Optoélectronique, JNMO 2001, Aussois, 2001, 2001 -
Transistors à effet de champ basés sur les filières GaAs et InP pour l'amplification de puissance
8èmes Journées Nationales Microélectronique et Optoélectronique, JNMO 2001, Aussois, 2001, 2001Communication dans un congrès avec actes -
Conception et réalisation de transistors de type FP-HEMT AlGaN/GaN
15èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2007, 2007, Actes des 15èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2007, LAAS, Toulouse, France, 2007Communication dans un congrès avec actes -
Etude des propriétés électroniques des surfaces et interfaces de semiconducteurs III-V par photoluminescence
15èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2007, 2007, Actes des 15èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2007, LAAS, Toulouse, France, 2007Communication dans un congrès avec actes -
Conception et réalisation de transistors FP-HEMT AlGaN/GaN
10èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Microélectronique, JNRDM, Lille, 2007 -
STARGAN : études de structures avancées de la filière nitrure de gallium (GaN)
Journées Nationales en Nanosciences et Nanotechnologies, J3N 2013, Marseille, 2013 -
[Invité] Etat de l'art et défis du GaN pour l'électronique
14èmes Journées Nano, Micro et Optoélectronique, JNMO 2013, Table ronde, Evian, 2013