Titre :

Local Schottky contacts of embedded Ag nanoparticles in Al 2 O 3 /SiN x :H stacks on Si: a design to enhance field effect passivation of Si junctions

Auteur(s) :

Elmi, E [Auteur]
Université de Djibouti
Cristini-Robbe, R [Auteur]
Laboratoire de Physique des Lasers, Atomes et Molécules - UMR 8523 [PhLAM]
Chen, M. [Auteur]
Wei, B [Auteur]
Bernard, R. [Auteur]
Laboratoire de Physique des Lasers, Atomes et Molécules - UMR 8523 [PhLAM]
Yarekha, Dmytro [Auteur]
Centrale de Micro Nano Fabrication - IEMN [CMNF - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Okada, Etienne [Auteur]
Plateforme de Caractérisation Multi-Physiques - IEMN [PCMP - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Ouendi, Saliha [Auteur]
Centrale de Micro Nano Fabrication - IEMN [CMNF - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Portier, X. [Auteur]
Centre de recherche sur les Ions, les MAtériaux et la Photonique [CIMAP - UMR 6252]
Gourbilleau, F. [Auteur]
Centre de recherche sur les Ions, les MAtériaux et la Photonique [CIMAP - UMR 6252]
Xu, T. [Auteur]
Stievenard, D. [Auteur]
Physique - IEMN [PHYSIQUE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]

Titre de la revue :

Nanotechnology

Éditeur :

Institute of Physics

Date de publication :

2018-07-13

ISSN :

0957-4484

Mot(s)-clé(s) en anglais :

field effect passivation
silver nanoparticles
Al 2 O 3 /SiN x stacks
FDTD simulation

Discipline(s) HAL :

Chimie/Matériaux
Physique [physics]/Matière Condensée [cond-mat]/Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]
Physique [physics]/Physique [physics]/Physique Numérique [physics.comp-ph]
Physique [physics]/Physique [physics]/Optique [physics.optics]
Sciences de l'ingénieur [physics]/Electromagnétisme
Sciences de l'ingénieur [physics]/Matériaux
Sciences de l'ingénieur [physics]/Micro et nanotechnologies/Microélectronique
Sciences de l'ingénieur [physics]/Optique / photonique

Résumé en anglais : [en]

This paper describes an original design leading to the field effect passivation of Si n +-p junctions. Ordered Ag nanoparticle (Ag-NP) arrays with optimal size and coverage fabricated by means of nanosphere lithography and ...
Lire la suite >This paper describes an original design leading to the field effect passivation of Si n +-p junctions. Ordered Ag nanoparticle (Ag-NP) arrays with optimal size and coverage fabricated by means of nanosphere lithography and thermal evaporation, were embedded in ultrathin-Al 2 O 3 /SiN x :H stacks on the top of implanted Si n +-p junctions, to achieve effective surface passivation. One way to characterize surface passivation is to use photocurrent, sensitive to recombination centers. We evidenced an improvement of photocurrent by a factor of 5 with the presence of Ag NPs. Finite-difference time-domain (FDTD) simulations combining with semi-quantitative calculations demonstrated that such gain was mainly due to the enhanced field effect passivation through the depleted region associated with the Ag-NPs/Si Schottky contacts.Lire moins >

Langue :

Anglais

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Internationale

Vulgarisation :

Non

Projet ANR :

Groupe d'Etudes et de Nanoanalyses des Effets d'IrradiationS

Collections :

• Laboratoire de Physique des Lasers, Atomes et Molécules (PhLAM) - UMR 8523

Source :

Harvested from HAL