Titre :

High voltage GaN-on-silicon with low-trapping up to 1200 V

Auteur(s) :

Tajalli, Alaleh [Auteur]
Università degli Studi di Padova = University of Padua [Unipd]
Abid, Idriss [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Kabouche, Riad [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Zegaoui, Malek [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Meneghini, Matteo [Auteur]
Università degli Studi di Padova = University of Padua [Unipd]
Meneghesso, Gaudenzio [Auteur]
Università degli Studi di Padova = University of Padua [Unipd]
Zanoni, Enrico [Auteur]
Università degli Studi di Padova = University of Padua [Unipd]
Nishikawa, A [Auteur]
Medjdoub, Farid [Auteur]
WIde baNd gap materials and Devices - IEMN [WIND - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]

Titre de la manifestation scientifique :

International Workshop on Nitride Semiconductors

Ville :

Kanazawa

Pays :

Japon

Date de début de la manifestation scientifique :

2018-11-11

Titre de la revue :

IWN2018

Discipline(s) HAL :

Sciences de l'ingénieur [physics]

Langue :

Anglais

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Internationale

Vulgarisation :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL