Titre :

Sub-THz zero-bias detector with high performances based on heterostructure low barrier diode (HLBD)

Auteur(s) :

Nadar, S. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Zaknoune, Mohammed [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Advanced NanOmeter DEvices - IEMN [ANODE - IEMN]
Wallart, Xavier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Coinon, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Centrale de Micro Nano Fabrication - IEMN [CMNF - IEMN]
Peytavit, Emilien [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Ducournau, Guillaume [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Gamand, F. [Auteur]
Thirault, M. [Auteur]
Werquin, M. [Auteur]
Jonniau, S. [Auteur]
Thouvenin, N. [Auteur]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Vellas, N. [Auteur]
Lampin, Jean-Francois [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]

Titre de la manifestation scientifique :

41st International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves (IRMMW-THz)

Ville :

Copenhagen

Pays :

Danemark

Date de début de la manifestation scientifique :

2016-09-25

Titre de l’ouvrage :

41st International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves (IRMMW-THz)

Éditeur :

IEEE

Date de publication :

2016

Discipline(s) HAL :

Sciences de l'ingénieur [physics]

Résumé en anglais : [en]

Heterostructure low barrier diode (HLBD) based on AlGaInAs has been designed, fabricated and characterized for zero-bias millimetre-wave detection. Detectors with different heterostructures and various active areas have ...
Lire la suite >Heterostructure low barrier diode (HLBD) based on AlGaInAs has been designed, fabricated and characterized for zero-bias millimetre-wave detection. Detectors with different heterostructures and various active areas have been tested in order to optimize their characteristics for low-level radiometric detection. We have measured the microwave performances of HLBD from DC to 220 GHz. A responsivity of 1700 V/W for unmatched diodes with a very low differential resistance of 256 Omega has been measured. A noise equivalent power (NEP) of about 1.3 pW/Hz(1/2) was then deduced. These performances make our diode easy to matched with 50 Omega circuits and particularly interesting for low-level sub-THz detection applications.Lire moins >

Langue :

Anglais

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Internationale

Vulgarisation :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL