Nano-structured top contact with low optical ...
Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
Titre :
Nano-structured top contact with low optical polarization dependence for THz generation using photodiodes
Auteur(s) :
Bretin, Sara [Auteur]
Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Billet, Maximilien [Auteur]
Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Peytavit, Emilien [Auteur]
Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Vaurette, Francois [Auteur]
Centrale de Micro Nano Fabrication - IEMN [CMNF - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Coinon, Christophe [Auteur]
Centrale de Micro Nano Fabrication - IEMN [CMNF - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Wallart, Xavier [Auteur]
EPItaxie et PHYsique des hétérostructures - IEMN [EPIPHY - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lampin, Jean-Francois [Auteur]
Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Zegaoui, Malek [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Ducournau, Guillaume [Auteur]
Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Zaknoune, Mohammed [Auteur]
Advanced NanOmeter DEvices - IEMN [ANODE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Billet, Maximilien [Auteur]
Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Peytavit, Emilien [Auteur]

Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Vaurette, Francois [Auteur]

Centrale de Micro Nano Fabrication - IEMN [CMNF - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Coinon, Christophe [Auteur]
Centrale de Micro Nano Fabrication - IEMN [CMNF - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Wallart, Xavier [Auteur]

EPItaxie et PHYsique des hétérostructures - IEMN [EPIPHY - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lampin, Jean-Francois [Auteur]

Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Zegaoui, Malek [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Ducournau, Guillaume [Auteur]

Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Zaknoune, Mohammed [Auteur]

Advanced NanOmeter DEvices - IEMN [ANODE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Titre de la manifestation scientifique :
43rd International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves (IRMMW-THz)
Ville :
Nagoya
Pays :
Japon
Date de début de la manifestation scientifique :
2018-09-09
Titre de l’ouvrage :
43rd International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves (IRMMW-THz)
Éditeur :
IEEE
Date de publication :
2018
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Résumé en anglais : [en]
Uni-travelling carrier photodiode (UTC-PD) with different top optical and electrical accesses are proposed towards optical polarization sensitivity reduction. With the optimized structure, only 1 percent dependence in ...
Lire la suite >Uni-travelling carrier photodiode (UTC-PD) with different top optical and electrical accesses are proposed towards optical polarization sensitivity reduction. With the optimized structure, only 1 percent dependence in optical polarization is obtained while ensuring good RF access. Measurements up to 110 GHz are presented at -1V bias and 25.3 mW optical power.Lire moins >
Lire la suite >Uni-travelling carrier photodiode (UTC-PD) with different top optical and electrical accesses are proposed towards optical polarization sensitivity reduction. With the optimized structure, only 1 percent dependence in optical polarization is obtained while ensuring good RF access. Measurements up to 110 GHz are presented at -1V bias and 25.3 mW optical power.Lire moins >
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Internationale
Vulgarisation :
Non
Projet ANR :
Source :
Fichiers
- https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03286176/document
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