Large-signal modeling up to W-band of ...
Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
Titre :
Large-signal modeling up to W-band of AlGaN/GaN based high-electron-mobility transistors
Auteur(s) :
Cutivet, Adrien [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Altuntas, Philippe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Defrance, Nicolas [Auteur]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Okada, Etienne [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Avramovic, Vanessa [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lesecq, Marie [Auteur]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Hoel, Virginie [Auteur]
Circuits Systèmes Applications des Micro-ondes - IEMN [CSAM - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Boone, F. [Auteur]
Hassan, Maher, [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Altuntas, Philippe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Defrance, Nicolas [Auteur]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Okada, Etienne [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Avramovic, Vanessa [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lesecq, Marie [Auteur]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Hoel, Virginie [Auteur]
Circuits Systèmes Applications des Micro-ondes - IEMN [CSAM - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Boone, F. [Auteur]
Hassan, Maher, [Auteur]
Titre de la manifestation scientifique :
10th European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC)
Ville :
Paris
Pays :
France
Date de début de la manifestation scientifique :
2015-09-07
Titre de l’ouvrage :
10th European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC 2015)
Éditeur :
IEEE
Date de publication :
2015
Mot(s)-clé(s) en anglais :
Electra-thermal Modeling
Large-signal
HEMT
AIGaN/GaN
W-band
Large-signal
HEMT
AIGaN/GaN
W-band
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Résumé en anglais : [en]
This paper reports on the development of a thermo-electrical non-linear model for sub-100 nm gate length AR:aN/GaN High-Electron-Mobility Transistors (HEMT) grown on silicon (111) substrate by Molecular Beam Epitaxy (MBE). ...
Lire la suite >This paper reports on the development of a thermo-electrical non-linear model for sub-100 nm gate length AR:aN/GaN High-Electron-Mobility Transistors (HEMT) grown on silicon (111) substrate by Molecular Beam Epitaxy (MBE). The presented model benefits from the innovative implementations of a sub-network taking into account access resistances frequency dispersion and a double intrinsic current source well suited for DC/RF dispersion losses. A comparison between simulation and experimental results under large-signal operating conditions at both 40 GEls and 94 C,Hz demonstrates the functionality of the implemented model.Lire moins >
Lire la suite >This paper reports on the development of a thermo-electrical non-linear model for sub-100 nm gate length AR:aN/GaN High-Electron-Mobility Transistors (HEMT) grown on silicon (111) substrate by Molecular Beam Epitaxy (MBE). The presented model benefits from the innovative implementations of a sub-network taking into account access resistances frequency dispersion and a double intrinsic current source well suited for DC/RF dispersion losses. A comparison between simulation and experimental results under large-signal operating conditions at both 40 GEls and 94 C,Hz demonstrates the functionality of the implemented model.Lire moins >
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Internationale
Vulgarisation :
Non
Projet ANR :
Source :