Titre :

Electrothermal modeling of GaN power transistor for high frequency power converter design

Auteur(s) :

Pace, Loris [Auteur correspondant]
Laboratoire d’Électrotechnique et d’Électronique de Puissance - ULR 2697 [L2EP]
Chevalier, Florian [Auteur]
Laboratoire d’Électrotechnique et d’Électronique de Puissance - ULR 2697 [L2EP]
Videt, Arnaud [Auteur]
Laboratoire d’Électrotechnique et d’Électronique de Puissance - ULR 2697 [L2EP]
Defrance, Nicolas [Auteur]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Idir, Nadir [Auteur]
Laboratoire d’Électrotechnique et d’Électronique de Puissance - ULR 2697 [L2EP]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]

Titre de la manifestation scientifique :

22nd European Conference on Power Electronics and Applications (EPE ECCE Europe)

Ville :

Lyon

Pays :

France

Date de début de la manifestation scientifique :

2020-09-07

Titre de l’ouvrage :

22nd European Conference on Power Electronics and Applications (EPE ECCE Europe 2020)

Éditeur :

IEEE

Date de publication :

2020

Mot(s)-clé(s) en anglais :

Gallium Nitride
High frequency power converter
High power density systems
Modelling
Radio frequency

Discipline(s) HAL :

Sciences de l'ingénieur [physics]

Résumé en anglais : [en]

This work proposes the electrothermal modeling of a packaged GaN power transistor in order to evaluate by simulation its performances in a 200 W - 1 MHz DC/DC converter. The complete electrical modeling of the high frequency ...
Lire la suite >This work proposes the electrothermal modeling of a packaged GaN power transistor in order to evaluate by simulation its performances in a 200 W - 1 MHz DC/DC converter. The complete electrical modeling of the high frequency converter using EM-circuit co-simulations is presented. After validation of the GaN transistor switchings waveforms and estimation of power losses, the operating temperature of the device is simulated and experimentally validated.Lire moins >

Langue :

Anglais

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Internationale

Vulgarisation :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL